近來，氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導(dǎo)體”材料，得到了持續(xù)關(guān)注。超寬禁帶半導(dǎo)體也屬于“第四代半導(dǎo)體”，與第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比，氧化鎵的禁帶寬度達(dá)到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化...
SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-C 四面體。SiC 是一種二元化合物，其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?，這個間距如何理解呢？...
當(dāng)前，金剛石的市場應(yīng)用大致可分成三個方向，一是可以用作裝飾鉆石，相關(guān)用途人們較為熟悉；二是可以做成金剛石膜，這是一種優(yōu)質(zhì)的散熱材料；三是經(jīng)摻雜以后形成半導(dǎo)體材料。這一應(yīng)用領(lǐng)域尚處于實驗階段，但其發(fā)...
碳化硅介紹碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。相比傳統(tǒng)的硅材料（Si），碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓...
碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工，包括長晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工，這部分跟硅基IGBT類似。第一部分，晶圓加工首先，以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC，通過物理氣相傳...
以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展在新能源汽車等領(lǐng)域風(fēng)頭正勁之時，一種更耐高溫耐高壓、支持更大功率、能耗更低的新一代化合物半導(dǎo)體材料——氧化鎵走進(jìn)業(yè)界視線。短短4-5年時間，氧化鎵已經(jīng)出現(xiàn)了高質(zhì)量的襯...
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