碳化硅生產流程包含材料端襯底與外延的制備，以及后續芯片的設計與制造，再到器件的封裝，最終流向下游應用市場。其中襯底材料是碳化硅產業中最具挑戰性的環節。碳化硅襯底既硬且脆，切割、研磨、拋光的難度都很...
到 2030 年，半導體在更多市場的大規模擴散以及這些市場中的更多應用預計將推動該行業的價值超過 1 萬億美元。但在接下來的 17 年里，半導體的影響力將遠遠超出這個數字，從而改變人們的工作方式，他們如何溝通，...
氧化鎵是一種很有前途的材料，可用于制造用于電動汽車和其他應用的更高效的功率器件。引人注目的是，該領域領先的美國公司的一個主要投資者是美國國防部。正如參與其商業化的日本公司Taiyo Nippon Sanso所解釋的...
第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。一、二、三代半導體什么區別？一、材料第一代半導體材料...
半導體晶圓氧化工藝：一、氧化工藝的目的為了將從沙子中提取的硅作為半導體集成電路的原材料，需要對其進行一系列的提純，才可制造出稱為錠(Ingot)的硅柱，然后將該硅柱切成均勻的厚度，經過研磨后，制成半導體的...
PVDF主要用于對純度有極高要求，同時需要抗溶劑及酸堿腐蝕的場合。比起其他含氟聚合物，比如聚四氟乙烯，PVDF的密度較低（1.78g/cm）。PVDF可用于生產管材、板材、薄膜、基板以及線纜的絕緣外皮。同時，其還可進...
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