以碳化硅為代表的第三代半導體材料發展在新能源汽車等領域風頭正勁之時，一種更耐高溫耐高壓、支持更大功率、能耗更低的新一代化合物半導體材料——氧化鎵走進業界視線。短短4-5年時間，氧化鎵已經出現了高質量的襯...
一、什么是碳化硅（SiC）？碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現，因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材...
隨著數字化、智能化的時代到來，半導體行業的熱度不斷高漲。尤其是量子信息和人工智能等高科技領域的快速發展，推動了半導體以及多功能器件技術的快速更新和迭代。為適應高性能、低成本的要求，業界將目光投向了...
冬至節氣，時至歲末，天寒地冷，卻溫暖可期。
近日河北省省長王正譜在廊坊北三縣調研，同時蒞臨CGB，深入了解企業的發展狀況和科技創新成果。在華林嘉業總經理的帶領下，一行人參觀了企業展廳及生產車間，耿總詳細介紹了我司的產品線、設備用途、科技創新成果...
近來，氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導體”材料，得到了持續關注。超寬禁帶半導體也屬于“第四代半導體”，與第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比，氧化鎵的禁帶寬度達到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化...
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