一元復(fù)始 萬(wàn)象更新 大年初九 開(kāi)工大吉新征途、新氣象、新希望堅(jiān)定信心、事業(yè)新啟2024 再創(chuàng)輝煌
時(shí)序更替，歲物豐成。時(shí)光匆匆而過(guò)，忙碌而充實(shí)的一年告一段落。為了慶賀2023的豐碩成果，同時(shí)奏響2024的嶄新樂(lè)章，集團(tuán)公司及各子公司副總悉數(shù)到場(chǎng)共同出席年終總結(jié)暨表彰大會(huì)。過(guò)去一年，公司上下齊心協(xié)力，用...
SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-C 四面體。SiC 是一種二元化合物，其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?，這個(gè)間距如何理解呢？...
當(dāng)前，金剛石的市場(chǎng)應(yīng)用大致可分成三個(gè)方向，一是可以用作裝飾鉆石，相關(guān)用途人們較為熟悉；二是可以做成金剛石膜，這是一種優(yōu)質(zhì)的散熱材料；三是經(jīng)摻雜以后形成半導(dǎo)體材料。這一應(yīng)用領(lǐng)域尚處于實(shí)驗(yàn)階段，但其發(fā)...
碳化硅介紹碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。相比傳統(tǒng)的硅材料（Si），碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓...
碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工，包括長(zhǎng)晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工，這部分跟硅基IGBT類(lèi)似。第一部分，晶圓加工首先，以高純硅粉和高純碳粉為原料生長(zhǎng)SiC，通過(guò)物理氣相傳...
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