一、氮化嫁（GaN）定義氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新...
第九屆全國新型半導(dǎo)體功率器件及應(yīng)用技術(shù)研討會 暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)融合創(chuàng)新發(fā)展論壇于2023.11.23-25在廣州召開，我司出席此次會議，展位號為：B21，歡迎新老朋友蒞臨交流。 &nb...
一、2023年11月23～25日第九屆全國新型半導(dǎo)體功率器件及應(yīng)用技術(shù)研討會暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)融合創(chuàng)新發(fā)展論壇在廣州舉行，華林嘉業(yè)也將出席此次會議并設(shè)展位，展位號：B21，屆時歡迎您的蒞臨交流！大會背景：為緊跟...
第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議(APCSCRM 2023)在北京朗麗茲西山花園酒店如期舉行，為期3天的會議于2023.11.10日圓滿閉幕。會議聚焦寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)材料及器件多學(xué)科主題，邀請全球60余位知名專家學(xué)者...
第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議(APCSCRM 2023)將于2023年11月08日-10日在中國首都-北京盛大召開，會議將聚焦寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)材料及器件多學(xué)科主題，邀請全球60余位知名專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、資本機(jī)構(gòu)，通過...
10月31日，北京華林嘉業(yè)科技有限公司（以下簡稱CGB）一批雙八寸SiC全自動清洗設(shè)備及首臺套自動供給系統(tǒng)順利完成調(diào)試如約交付。該設(shè)備為我司自主研發(fā)的專利產(chǎn)品，專業(yè)應(yīng)用于SiC襯底和SiC外延...
企業(yè)網(wǎng)站
COPYRIGHT北京華林嘉業(yè)科技有限公司 版權(quán)所有 京ICP備09080401號
