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       臺積電、力晶兩大集團攜手，透過DRAM與邏輯芯片的真3D堆疊異質整合技術，打造全球最強異質整合芯片，協助客戶打破摩爾定律的限制，領先英特爾、三星等勁敵，為全球首創。該3D整合芯片提供相對于現有高帶寬存儲器（HBM）十倍以上的高速帶寬及數倍容量，為中國臺灣地區半導體業筑起更難超越的高墻。

       力晶集團昨（25）日透過旗下客制化產品研發暨智財授權商愛普，宣布這項訊息。這是中國臺灣地區半導體技術又一大突破，相關產品已開始量產出貨，鎖定區塊鏈、AI、網通等先進應用，過程當中，愛普“小兵立大功”，負責引案、設計、研發等工作，并串連臺積電在邏輯芯片代工與3D堆迭制造能力，以及力晶旗下力積電存儲器代工制造能量，打造出世界第一的異質整合晶片。

       此次兩大集團合作分工，由愛普提供的VHM（3D堆疊技術存儲器），包含客制化DRAM設計及DRAM與邏輯芯片整合介面的VHM LIn KIP；力積電供應客制化DRAM晶圓代工制造，最后由臺積電提供邏輯制程晶圓代工及3D堆疊制造服務。

臺積電自十年前開始耕耘先進封裝，陸續開發CoWoS、封裝內封裝乃至逐步發展自先進封裝3D fabric整合平臺，在今年技術論壇上也特別說明先進封裝產能擴充計劃。

       力積電表示，邏輯芯片與DRAM的3D整合，是力積電在AI存儲器策略上的最新成果，這項3D技術將可為DRAM的帶寬創造前所未見的可能性，對于AI、網通及圖像處理等特別需要大量帶寬的應用，將有極大的幫助。

       愛普表示，半導體封裝技術已從傳統的2D封裝演進到2.5D，再到真正的3D封裝，而2.5D封裝是將多片芯片封裝于同一塊硅中介板上，但真正的3D封裝技術則是以垂直的連接方式，將多片芯片直接立體地互相堆疊，相較于2.5D封裝，邏輯芯片與DRAM的3D整合，將可在顯著降低傳輸功耗的同時，同時大幅提升內存的帶寬。

       此次推出的3D整合芯片，提供相對高帶寬存儲器十倍以上的高速帶寬，搭載超過4GB內存容量，并且是7納米制程邏輯芯片內存SRAM最大容量的五到十倍。