SiC迎來(lái)“上車(chē)”時(shí)刻？
SiC迎來(lái)“上車(chē)”時(shí)刻？
來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察
SiC成為汽車(chē)領(lǐng)域冉冉升起的新星，正在引發(fā)車(chē)企及技術(shù)供應(yīng)商的重視和布局。
近日，鴻海集團(tuán)近6億元收購(gòu)6英寸SiC晶圓廠的消息，沸沸揚(yáng)揚(yáng)。鴻海方面透露，該工廠用來(lái)開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體，特別是電動(dòng)車(chē)使用的SiC功率器件，計(jì)劃2024年產(chǎn)能達(dá)到18萬(wàn)片。
8月11日，比亞迪半導(dǎo)體發(fā)文介紹稱，比亞迪漢的第100000輛新車(chē)前不久在深圳比亞迪全球總部重磅下線，其電機(jī)控制器首次使用了比亞迪自主研發(fā)制造的高性能碳化硅功率模塊，這也是全球首家、國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)在電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中大批量裝車(chē)的SiC三相全橋模塊。
圖源：比亞迪半導(dǎo)體
此外，吉利最近也宣布純電平臺(tái)采用羅姆SiC技術(shù)，開(kāi)發(fā)高效電控系統(tǒng)和車(chē)載充電系統(tǒng)。同時(shí)，其子公司與SiC企業(yè)芯聚能半導(dǎo)體等合資成立了廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司，布局SiC國(guó)產(chǎn)化。另一邊，零跑汽車(chē)也宣布2023年量產(chǎn)800V SiC電控產(chǎn)品。
車(chē)企和產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)圍繞SiC紛紛展開(kāi)布局。
追溯SiC產(chǎn)品在汽車(chē)上的應(yīng)用由來(lái)，早在2014年，豐田就推出了SiC MOSFET，但受限于高昂的成本和技術(shù)的不成熟，技術(shù)一直都發(fā)展較緩。直到2018年，特斯拉率先在Model 3搭載了基于全SiC MOSFET模塊的逆變器，降低傳導(dǎo)與開(kāi)關(guān)損耗。隨后，奧迪、大眾、蔚來(lái)等車(chē)企也在加速SiC MOSFET的落地，相繼迎來(lái)量產(chǎn)。
特斯拉Model 3搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器（圖源：騰訊）
據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)有十幾家車(chē)企已經(jīng)采用或明確表示要采用SiC，隨著新能源汽車(chē)市場(chǎng)的快速發(fā)展，未來(lái)2年SiC車(chē)載需求有望得到迅速提升。Yole預(yù)測(cè)，2023年起，SiC功率半導(dǎo)體全年產(chǎn)值年增幅將超過(guò)4成，2025年SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)值更可達(dá)32億美元。其中，SiC在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用將以38%的年復(fù)合率增長(zhǎng)，到2025年將超過(guò)15億美元。
2019-2025年全球SiC市場(chǎng)規(guī)模分析預(yù)測(cè)（圖源：智博睿投資咨詢）
汽車(chē)領(lǐng)域進(jìn)入SiC放量元年？
如此短的時(shí)間內(nèi)，是什么原因?qū)е耂iC被追捧？SiC在汽車(chē)領(lǐng)域又呈現(xiàn)怎樣的發(fā)展格局？
如今，隨著新能源汽車(chē)高速發(fā)展，此前采用較多的硅（Si）基材料基本已逼近其物理極限，如工作溫度、電壓阻斷能力、正向?qū)▔航?、器件開(kāi)關(guān)速度等，尤其在高頻和高功率領(lǐng)域更顯示出其局限性。為此，需要新的材料來(lái)替代。
作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，SiC具有寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率及更高的抗輻射能力，是高溫、高頻、高壓、大功率以及耐輻射應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。此外，由于SiC功率器件可顯著降低電子設(shè)備的能耗，可使新能源汽車(chē)的系統(tǒng)效率更高、重量更輕及結(jié)構(gòu)更加緊密，有助于節(jié)省成本以及續(xù)航里程的提升。
目前，電動(dòng)車(chē)中的主驅(qū)逆變器仍以硅基MOSFET和硅基IGBT為主，但考慮到未來(lái)電動(dòng)車(chē)需要更長(zhǎng)的行駛里程、更短的充電時(shí)間和更高的電池容量，在車(chē)用半導(dǎo)體中，SiC將會(huì)是未來(lái)趨勢(shì)，在汽車(chē)上的主要應(yīng)用包括電驅(qū)、逆變器、DC/DC（直流轉(zhuǎn)換器）、OBC（車(chē)載充電器）、電控以及電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施等部分。
電驅(qū)動(dòng)集成系統(tǒng)將加速SiC器件在電動(dòng)汽車(chē)中的量產(chǎn)落地，電驅(qū)動(dòng)作為核心的動(dòng)力系統(tǒng)，直接影響到整車(chē)的能源效率、續(xù)航里程等。在當(dāng)前集成化趨勢(shì)下，電機(jī)+減速器+逆變器集成的“三合一”電驅(qū)動(dòng)模塊將成為市場(chǎng)主流，通過(guò)集成化設(shè)計(jì)，一方面可以簡(jiǎn)化主機(jī)廠的裝配，提高產(chǎn)品合格率；另一方面可以大規(guī)?？s減供應(yīng)商數(shù)量，可以達(dá)到輕量化、節(jié)約成本的目的。
從市場(chǎng)進(jìn)展來(lái)看，Tier1廠商博世、博格華納、大陸、法雷奧等都紛紛推出了電驅(qū)動(dòng)模塊，且部分已經(jīng)量產(chǎn)落地，憑借自身在機(jī)械制造領(lǐng)域的深厚經(jīng)驗(yàn)，在電機(jī)、減速器領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)較為明顯。
其中，逆變器作為電動(dòng)汽車(chē)的另一大主要部件，為了滿足市場(chǎng)對(duì)于高效驅(qū)動(dòng)模塊的需求，供應(yīng)商都在通過(guò)兼并收購(gòu)或戰(zhàn)略合作等方式迅速補(bǔ)足逆變器尤其是高壓逆變器技術(shù)這一塊的拼圖。出于成本因素考慮，當(dāng)前基于SiC材料的逆變器首先配置于高端電動(dòng)車(chē)，特斯拉是SiC器件應(yīng)用的先行者，其Model 3車(chē)型的驅(qū)動(dòng)電機(jī)部分搭載了24個(gè)650V/100A的SiC MOSFET模塊，車(chē)身比Model S減輕了20%。
特斯拉Model 3搭載了24個(gè)650V/100A的SiC MOSFET模塊（圖源：騰訊）
此外，車(chē)載充電器和充電樁使用SiC器件后將充分發(fā)揮高頻、高溫和高壓三方面的優(yōu)勢(shì)，有助于提高汽車(chē)充電速度，實(shí)現(xiàn)充電系統(tǒng)小型化和高可靠性。
以充電樁為例，為了緩解消費(fèi)者對(duì)電動(dòng)汽車(chē)?yán)m(xù)駛里程的焦慮，各國(guó)都在建設(shè)公共充電樁，加速電動(dòng)汽車(chē)的發(fā)展，充電樁將成為帶動(dòng)SiC應(yīng)用實(shí)現(xiàn)突破的另一推動(dòng)因素。隨著電動(dòng)汽車(chē)保有量的上升，提升充電效率縮短充電時(shí)間是用戶的關(guān)注核心，直流充電樁技術(shù)正發(fā)展迅猛。同時(shí)，充電樁電壓隨電動(dòng)汽車(chē)電池組電壓的增加而發(fā)生需求變化。電池電壓從400V增加到800V，充電樁電壓也要從500V增加到1000V，這也導(dǎo)致充電樁需要采用電壓1200V的功率部件。
然而，當(dāng)電壓大于900V要實(shí)現(xiàn)更大功率時(shí)，硅基功率MOSFET和IGBT就暴露出其短板，其在轉(zhuǎn)換效率，開(kāi)關(guān)頻率，工作溫度等多方面都將受限。SiC器件憑借材料特性優(yōu)勢(shì)，能夠彌補(bǔ)傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料器件在實(shí)際應(yīng)用中的缺陷，能提供比硅基IGBT尺寸更緊湊的解決方案，更高的效率和頻率，更好的滿足高功率充電樁的需求，進(jìn)而降低充電成本。
圖源：羅姆，國(guó)元證券研究中心
Yole預(yù)測(cè)，充電樁市場(chǎng)規(guī)模在2019-2025年間的CAGR預(yù)期將高達(dá)90%，至2025年可增長(zhǎng)至2.25億美元。SiC有望在新的市場(chǎng)潛力下實(shí)現(xiàn)突破。
綜合來(lái)看，智能汽車(chē)在智能化、電氣化趨勢(shì)下的持續(xù)演進(jìn)，下游傳統(tǒng)汽車(chē)升級(jí)帶來(lái)龐大的功率半導(dǎo)體需求。在此背景下，SiC產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)發(fā)展風(fēng)口，Yole研究數(shù)據(jù)顯示，即使在新冠疫情影響之下，功率半導(dǎo)體在汽車(chē)領(lǐng)域市場(chǎng)的增速有所下降，但基于SiC的電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)也并未放慢發(fā)展步伐，且眾多汽車(chē)制造商在繼續(xù)認(rèn)證車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET。
2021年汽車(chē)領(lǐng)域SiC有望進(jìn)入放量元年。
SiC上車(chē)的機(jī)遇和挑戰(zhàn)
根據(jù)半導(dǎo)體時(shí)代產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)中心預(yù)計(jì)，SiC晶片在半導(dǎo)體領(lǐng)域的出貨量將從2020年的13萬(wàn)片增長(zhǎng)到2025年的80萬(wàn)片，2020-2025年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到43.8%，遠(yuǎn)高于全球27.2%的復(fù)合增長(zhǎng)率，中國(guó)出貨量占有率預(yù)計(jì)將從全球8.67%上升至16%。
積極地?cái)?shù)據(jù)預(yù)測(cè)下，一方面是供應(yīng)商方面對(duì)產(chǎn)業(yè)前景的充分看好。全球SiC襯底、器件廠商對(duì)市場(chǎng)預(yù)期積極，如Cree預(yù)計(jì)SiC襯底、SiC功率器件2024年市場(chǎng)規(guī)模分別可達(dá)11億、50億美元，2018-2024年復(fù)合增速達(dá)44.47%、51.11%；II-VI（貳陸公司）更是預(yù)計(jì)2030年SiC市場(chǎng)規(guī)模將超300億美元，2020~2030年復(fù)合增速高達(dá)50.60%；此外，羅姆、ST、英飛凌等廠商也對(duì)SiC市場(chǎng)未來(lái)增長(zhǎng)持有強(qiáng)烈的信心，凸顯行業(yè)上行趨勢(shì)的強(qiáng)勁。
另一方面，上文也介紹了SiC在需求側(cè)的旺盛需求，電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)將成為引領(lǐng)SiC持續(xù)增長(zhǎng)的“中流砥柱”，帶動(dòng)SiC功率半導(dǎo)體的落地和滲透。據(jù)英飛凌統(tǒng)計(jì)，2020年全球新能源車(chē)銷量達(dá)324萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng)43%，其中我國(guó)新能源車(chē)銷量高達(dá)133.48萬(wàn)輛，穩(wěn)居全球第一。2020年全球新能源車(chē)銷售量實(shí)現(xiàn)了大幅增長(zhǎng)，預(yù)示SiC下游市場(chǎng)需求或?qū)⒂瓉?lái)爆發(fā)期，帶來(lái)對(duì)功率半導(dǎo)體的需求量大幅擴(kuò)張，SiC功率器件未來(lái)或?qū)⒊掷m(xù)替代硅功率器件，迎來(lái)持續(xù)的需求增長(zhǎng)期。
從產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)來(lái)看，半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)都可以按照“襯底-外延-器件”劃分，SiC在半導(dǎo)體芯片中存在的主要形式是作為襯底材料。
SiC產(chǎn)業(yè)鏈分布情況（圖源：搜狐）
其中，SiC晶片是SiC晶體經(jīng)過(guò)切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成的單晶薄片。SiC晶片作為半導(dǎo)體襯底材料，經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)、器件制造、封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)，可制成SiC二極管、SiC MOSFET等功率器件。
SiC功率半導(dǎo)體制備工藝
從車(chē)用場(chǎng)景看，盡管目前SiC前景向好且受到市場(chǎng)追捧，但在商業(yè)化進(jìn)程中依然存在各類問(wèn)題。
SiC前景向好，但挑戰(zhàn)仍在（半導(dǎo)體行業(yè)觀察制圖）
此外，在產(chǎn)業(yè)層面，從芯片和功率模塊設(shè)計(jì)到整車(chē)層面的應(yīng)用驗(yàn)證這一鏈條尚未打通，芯片企業(yè)缺乏整車(chē)層面的真正需求分解和反饋，整車(chē)企業(yè)缺乏芯片層面的測(cè)評(píng)信息。
全球SiC技術(shù)和產(chǎn)業(yè)距離成熟尚有一定的差距，在一定程度上制約了SiC器件市場(chǎng)擴(kuò)大的步伐。
成本是SiC打開(kāi)市場(chǎng)的關(guān)鍵
其實(shí)，歸根結(jié)底，上述一系列因素的最終反映就是SiC生產(chǎn)和應(yīng)用成本過(guò)高。據(jù)CASA統(tǒng)計(jì)，SiC價(jià)格近幾年快速下降，2020年較2017年下降了五成以上。半導(dǎo)體廠商英飛凌大中華區(qū)電源與感測(cè)系統(tǒng)事業(yè)部協(xié)理陳志星也表示，SiC、GaN 等相關(guān)寬能隙 (WBG) 功率元件價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)很大的降幅，但是仍舊與硅基產(chǎn)品之間成本差距確實(shí)存在，價(jià)格還比較高昂。
但也可以從另一個(gè)角度來(lái)考慮價(jià)格問(wèn)題，以特斯拉為例，特斯拉Model3當(dāng)年采購(gòu)SiC模塊的成本要比硅基IGBT模塊貴不少。但特斯拉是從 TCO（總體擁有成本）的角度來(lái)考慮成本問(wèn)題的：主逆變器功率器件由硅基IGBT替換成SiC器件之后，采購(gòu)成本確實(shí)上升了將近1500元，但是卻帶來(lái)了整車(chē)效率的提升，導(dǎo)致電池裝機(jī)量的下降，從電池端把成本又省回來(lái)了。
嘗到甜頭的特斯拉，將SiC模塊從Model 3一款車(chē)型，逐漸推廣到了旗下的其他車(chē)型，實(shí)現(xiàn)了全線產(chǎn)品覆蓋。在特斯拉的帶動(dòng)下，其他車(chē)企也都紛紛開(kāi)始裝備SiC模塊。
當(dāng)前，全球市場(chǎng)上6英寸SiC襯底已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，主流大廠也陸續(xù)開(kāi)始推出8英寸樣品，ST前不久就宣布了制造出首批8英寸SiC晶圓片，在此之前，Cree早在2015年就展示了8英寸SiC樣品，2019年完成了首批8英寸SiC晶圓樣品的制樣，正在美國(guó)達(dá)勒姆市新建的晶圓廠也規(guī)劃以8英寸SiC產(chǎn)品為主；II-VI和SiCrystal也已經(jīng)對(duì)外展示了8英寸SiC襯底樣品。
按照各大廠商的量產(chǎn)計(jì)劃來(lái)看，從2023年開(kāi)始，逐漸量產(chǎn)8英寸襯底，外延及器件方面將繼續(xù)提高產(chǎn)能及制造良品率。未來(lái)，隨著6英寸襯底、外延晶片質(zhì)量提高，8英寸產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，降本效應(yīng)有望顯現(xiàn)，推進(jìn)SiC器件和模塊普及。而且，如果SiC模塊成為了電動(dòng)汽車(chē)主流配置，規(guī)模效應(yīng)下，價(jià)格自然也會(huì)降下來(lái)。
圖源：騰訊科技
當(dāng)然，目前SiC從6英寸向8英寸邁進(jìn)的過(guò)程中還存在諸多難點(diǎn)，“與硅材料芯片相比，8英寸和6英寸SiC生產(chǎn)的主要差別在高溫工藝上，例如高溫離子注入，高溫氧化，高溫激活等，以及這些高溫工藝所需求的hard mask（硬掩模）工藝等。高溫工藝關(guān)乎著SiC的良率，是各大SiC廠商所著力研發(fā)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一?！?深圳基本半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理和巍巍博士表示，8英寸SiC的制造難點(diǎn)主要集中在襯底生長(zhǎng)、襯底切割加工、氧化工藝。其中，襯底生長(zhǎng)方面，擴(kuò)徑到8英寸，對(duì)襯底生長(zhǎng)的難度會(huì)成倍增加；襯底切割加工方面，越大尺寸的襯底切割應(yīng)力、翹曲的問(wèn)題越顯著；氧化工藝一直是SiC工藝中的核心難點(diǎn)，8英寸、6英寸對(duì)氣流和溫場(chǎng)的控制有不同需求，工藝需各自獨(dú)立開(kāi)發(fā)。
綜合來(lái)看，未來(lái)在生產(chǎn)規(guī)模、產(chǎn)能投資、良率控制等方面的共同推進(jìn)下，SiC功率元件的成本有望有效下降，英飛凌預(yù)計(jì)3-5年后有機(jī)會(huì)把成本降到跟硅基元件相仿的程度，后段制程技術(shù)也持續(xù)推進(jìn)。
SiC行業(yè)格局與國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展
縱觀全球市場(chǎng)格局，目前全球SiC產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國(guó)、歐洲、日本三足鼎立態(tài)勢(shì)。其中CREE（子公司W(wǎng)olfspeed負(fù)責(zé)SiC器件生產(chǎn)）、羅姆（子公司SiCrystal負(fù)責(zé)SiC晶圓生產(chǎn)）實(shí)現(xiàn)了從SiC襯底、外延、設(shè)計(jì)、器件及模塊制造的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，實(shí)力較強(qiáng)。國(guó)際主要的上游原材料企業(yè)均實(shí)現(xiàn)了從襯底到外延的連續(xù)布局，器件生產(chǎn)廠商則主要以IDM形式為主，如英飛凌、ST、富士電機(jī)、三菱電機(jī)、安森美、東芝等。
從國(guó)內(nèi)的SiC參與者來(lái)看，全產(chǎn)業(yè)鏈布局的玩家主要是中電科55所、世紀(jì)金光；生產(chǎn)SiC襯底的企業(yè)有天科合達(dá)、山東天岳、同光晶體等；生產(chǎn)SiC外延片的企業(yè)有東莞天域、瀚天天成；負(fù)責(zé)器件設(shè)計(jì)的企業(yè)有深圳基本半導(dǎo)體、瞻芯電子、蘇州鍇威特、陸芯科技等；以IDM形式生產(chǎn)器件和模塊的企業(yè)有泰科天潤(rùn)、中車(chē)時(shí)代、斯達(dá)半導(dǎo)體、比亞迪半導(dǎo)體、揚(yáng)杰電子、瑞能半導(dǎo)體等。
國(guó)內(nèi)
外SiC產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)廠商（圖源：智博睿投資咨詢）
近期，國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)仍在頻頻布局：露笑科技隨著襯底加工設(shè)備、清洗設(shè)備和測(cè)試設(shè)備的逐步到位及加工工藝優(yōu)化，預(yù)計(jì)在9月份基本可實(shí)現(xiàn)6英寸導(dǎo)電型SiC襯底片的小批量生產(chǎn)；安徽徽芯長(zhǎng)江SiC項(xiàng)目建設(shè)工程的主體工程順利封頂，計(jì)劃2021年3季度完成廠房建設(shè)和設(shè)備安裝調(diào)試，2021年12月底完成中試并開(kāi)始試銷。預(yù)計(jì)目標(biāo)年產(chǎn)4英寸SiC晶圓3萬(wàn)片、6英寸12萬(wàn)片。
國(guó)內(nèi)企業(yè)在SiC襯底方面以4英寸為主，同時(shí)山東天岳、天科合達(dá)、河北同光、中科節(jié)能、露笑科技等廠商已完成6英寸襯底的研發(fā)；中電科裝備已成功研制出6英寸半絕緣襯底，在SiC單晶襯底技術(shù)上形成自主技術(shù)體系。
從市場(chǎng)現(xiàn)狀來(lái)看，在SiC這條賽道上，國(guó)內(nèi)企業(yè)經(jīng)過(guò)幾年深入耕耘，正在積極進(jìn)入一些關(guān)鍵產(chǎn)品的供應(yīng)鏈，但目前與國(guó)外還存在一定差距。
對(duì)此，新能源與智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)獨(dú)立研究者曹廣平向筆者說(shuō)道：“在SiC晶片制造上，我們與美國(guó)的差距較大，但目前國(guó)內(nèi)山東東岳等也取得了較好的進(jìn)步，已掌握了2-6英寸晶片的制作技術(shù)。襯底、外延片、器件、模塊、驅(qū)動(dòng)、輔助設(shè)計(jì)等后續(xù)的關(guān)鍵技術(shù)及相關(guān)工藝，國(guó)內(nèi)取得了較大進(jìn)步但還沒(méi)有完全掌握，主要處于學(xué)習(xí)、摸索以及創(chuàng)新階段?！?/p>
舉例來(lái)說(shuō)，我國(guó)SiC外延材料，20μm及以下的產(chǎn)品水平接近國(guó)際先進(jìn)水平；而100μm的厚外延材料，在厚外延材料缺陷控制等方面距離國(guó)際先進(jìn)水平有一定的差距。器件方面，國(guó)外英飛凌、羅姆、Cree公司的產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始推廣銷售，我們即使內(nèi)供的情況也并不多見(jiàn)，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的能力水平還是偏弱，只是在局部領(lǐng)域或局部性能上達(dá)到國(guó)際水平。
圖源：搜狐
對(duì)于國(guó)產(chǎn)SiC落后的原因，可以歸納為以下幾點(diǎn)：第一，我國(guó)SiC功率器件領(lǐng)域發(fā)展還存在研發(fā)時(shí)間短，技術(shù)儲(chǔ)備不足，進(jìn)行SiC功率器件研發(fā)的科研單位較少，研發(fā)技術(shù)水平跟國(guó)外還有一定差距等問(wèn)題，追趕難度較大；第二，設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、仿真、測(cè)試技術(shù)尚不成熟，封裝材料和檢測(cè)設(shè)備被國(guó)外企業(yè)壟斷；第三，從芯片設(shè)計(jì)到應(yīng)用的鏈條沒(méi)有打通；第四，開(kāi)放的公共研發(fā)服務(wù)平臺(tái)和規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)支撐不足。
從全球供需關(guān)系來(lái)看，目前SiC產(chǎn)品供不應(yīng)求。中國(guó)雖然是全球最大的需求市場(chǎng)，但國(guó)產(chǎn)供應(yīng)能力不足。上述種種因素都在很大程度上制約著我國(guó)獨(dú)立自主的SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展壯大。曹廣平認(rèn)為，包括SiC在內(nèi)的第三代半導(dǎo)體技術(shù)，國(guó)內(nèi)目前處于跟隨國(guó)外的狀態(tài)，存在應(yīng)用和開(kāi)發(fā)的巨大需求，但是深度的基礎(chǔ)研究和產(chǎn)業(yè)鏈整體環(huán)境沒(méi)有長(zhǎng)期的積累，仍是需要加速追趕的階段。雖然說(shuō)做好局部的突破也是可能的，但結(jié)合行業(yè)和企業(yè)的整體發(fā)展獲得大范圍的市場(chǎng)認(rèn)可，仍然任重而道遠(yuǎn)。
寫(xiě)在最后
很顯然，在電動(dòng)汽車(chē)大熱的當(dāng)下，SiC已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)外汽車(chē)產(chǎn)業(yè)布局的重點(diǎn)，不論是合作開(kāi)發(fā)還是自主研發(fā)，均將SiC推向了技術(shù)浪潮的巔峰。
相對(duì)于硅基器件，SiC功率半導(dǎo)體在高工藝、高性能與成本間的平衡，將成為SiC功率器件真正大規(guī)模落地的關(guān)鍵核心點(diǎn)。隨著產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程的加速和成本的不斷下降，整體產(chǎn)業(yè)也正在步上高速增長(zhǎng)的快車(chē)道。
在國(guó)產(chǎn)替代的需求和政策激勵(lì)下，期待國(guó)內(nèi)的SiC企業(yè)能夠憑借自身強(qiáng)大的汽車(chē)市場(chǎng)需求和優(yōu)勢(shì)，在SiC “上車(chē)”的趨勢(shì)和機(jī)遇中實(shí)現(xiàn)新的蛻變。
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