工信部電子五所牽頭起草的《用于硬開關電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態導通電阻測試方法》團體標準已形成委員會草
工信部電子五所牽頭起草的《用于硬開關電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態導通電阻測試方法》團體標準已形成委員會草
2022年7月18日，由工信部電子五所牽頭起草的《用于硬開關電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態導通電阻測試方法》團體標準形成委員會草案，該項標準委員會草案按照CASAS標準制定程序，反復斟酌、修改、編制而成。起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會，得到了很多CASAS正式成員的支持。
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T/CASAS 005—202X《用于硬開關電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態導通電阻測試方法》基于GaN功率器件動態導通電阻測試的迫切需求，自2021年9月起，預提案單位工業和信息化部電子第五研究所、佛山市聯動科技股份有限公司、東南大學、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、珠海鎵未來科技有限公司等單位討論確定啟動標準制定的準備工作，一致認同基于硬開關電路的GaN HEMT電力電子器件動態電阻測試標準制定的必要性及迫切性；標準編制組于2021年9月~10月分別組織多次線上討論會，修改完善標準提案所需材料：標準建議表、標準草案。
2021年11月9日，來自工業和信息化部電子第五研究所、佛山市聯動科技股份有限公司、東南大學、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、香港應科院、是德科技有限公司、泰科天潤等單位的專家老師在線上（騰訊會議）召開了標準預提案討論會，工業和信息化部電子第五研究所代表賀致遠博士介紹了制定背景、GaN動態導通電阻測試現狀、標準編制思路、草案內容以及測試實例。會議中對準備的文件進行了仔細深入的討論。之后預提案單位形成提交給CSAS秘書處的項目提案材料。
2021年11月9日，根據CASAS管理辦法等管理文件，CASAS秘書處開展該項標準立項的程序性工作；于2月11日，經CASAS管理委員會投票通過，T/CASAS 005-202X《用于硬開關電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態導通電阻測試方法》團體標準立項。
2022年3月1日，組建起草組。起草組成員包括：工業和信息化部電子第五研究所、佛山市聯動科技股份有限公司、東南大學、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、英諾賽科（珠海）科技有限公司、佛山市國星光電股份有限公司等。起草組根據前期的意見征求情況，全面修改并完善了標準草案，并于4月初形成了征求意見稿。
2022年4月1日，秘書處面向全體成員單位發送征求意見的通知；2022年6月9日，針對征求意見階段收集的意見，秘書處組織召開了委員會草案初稿的討論，并定向邀請相關專家擴大了范圍討論；2022年6月22日，針對動態電阻測試如何判定為穩定，重點邀請了珠海鎵未來創始人吳毅鋒教授、浙江大學吳新科教授等就持續脈沖、持續雙脈沖、周期雙脈沖等做了重點交流，認為幾個連續雙脈沖后，保證DUT柵極關斷并漏源高壓反偏的工作條件，會持續電子被陷阱捕捉的狀態，然后再次連續雙脈沖，會有效避免器件自熱對測試結果的影響。
2022年7月18日形成委員會草案。
T/CASAS 005—202X《用于硬開關電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態導通電阻測試方法》規定了用于硬開關切換電路的GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）動態導通電阻測試方法。適用于進行GaN HEMT的生產研發、特性表征、量產測試、可靠性評估及應用評估等工作場景。可應用于以下器件：
a) GaN增強型和耗盡型分立電力電子器件；
b) GaN集成功率電路；
c) 以上的晶圓級及封裝級產品。
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