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CASA發(fā)布SiC MOSFET功率循環(huán)試驗/結(jié)殼熱阻測試2項團體標準

由工業(yè)和信息化部電子第五研究所牽頭制定，遵循CASAS標準制定流程，經(jīng)過標準起草小組會議討論、廣泛征求意見、委員會草案投票等流程，團體標準T/CASAS 015—2022《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗方法》以及T/CASAS 016—2022《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）結(jié)殼熱阻瞬態(tài)雙界面測試方法》于2022年7月18日正式面向產(chǎn)業(yè)發(fā)布。

2項標準由工業(yè)和信息化部電子第五研究所、西安交通大學、南方電網(wǎng)科學研究院有限責任公司、比亞迪半導體股份有限公司、國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院有限公司、中國電子科技集團集團第五十五研究所等多家單位于2020年12月啟動標準預研工作，并于2021年4月正式立項。

T/CASAS 015—2022《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗方法》規(guī)定了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗方法，評價器件在承受規(guī)定應力的條件下是否符合規(guī)定的循環(huán)次數(shù)。對于提升SiC MOSFET器件的可靠性評價與分析技術能力，支撐SiC MOSFET器件的可靠性改進具有重要意義。

陳媛、賀致遠、來萍、路國光、姚天保、李金元、李堯圣、謝峰、成年斌、陳義強、黃云、劉奧、劉昌、徐新兵、吳海平、唐宏浩、劉偉鑫、李巍巍、王來利、喬良、徐瑞鵬。

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T/CASAS 016—2022《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）結(jié)殼熱阻瞬態(tài)雙界面測試方法》規(guī)定了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）結(jié)殼熱阻瞬態(tài)雙界面測試方法，適用于SiC MOSFET分立器件，以源極和漏極之間的電壓Vsd作為測試溫敏參數(shù)的結(jié)殼熱阻測試。

付志偉、侯波、周斌、陳思、楊曉鋒、陳義強、陳媛、來萍、黃云、路國光、劉奧、郭懷新、李巍巍、李金元、李堯圣、王來利、劉斯揚、楊家躍、崔益軍、唐宏浩、喬良、徐瑞鵬。

工業(yè)和信息化部電子第五研究所（中國賽寶實驗室），又名中國電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗研究所，始建于1955年，是中國最早從事可靠性研究的權(quán)威機構(gòu)。
實驗室可提供從材料到整機設備、從硬件到軟件直至復雜大系統(tǒng)的認證計量、試驗檢測、分析評價、數(shù)據(jù)服務、軟件評測、信息安全、技術培訓、標準信息、工程監(jiān)理、節(jié)能環(huán)保、專用設備和專用軟件研發(fā)等技術服務。實驗室具有多項認證、檢測資質(zhì)和授權(quán)，建立了良好的國際合作互認關系，可在世界范圍內(nèi)開展認證、檢測業(yè)務，代表中國進行國際技術交流、標準和法規(guī)的制訂。同時，作為工業(yè)和信息化部的直屬單位，為部的行業(yè)管理和地方政府提供技術支撐，為電子信息企業(yè)提供技術支持與服務，每年服務企業(yè)過萬家。

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