銘鎵半導體完成近億元A輪融資，用于氧化鎵項目擴產和研發
發布時間：2022-07-01發布人：
銘鎵半導體完成近億元A輪融資，用于氧化鎵項目擴產和研發
6月30日，北京銘鎵半導體有限公司宣布完成近億元A輪融資。本輪融資將主要用于氧化鎵項目的擴產和研發。
銘鎵半導體成立于2020年，是國內率先專業從事超寬禁帶半導體氧化鎵材料開發及應用產業化的公司，專注于新型超寬禁帶半導體材料氧化鎵單晶、外延襯底和高頻大功率器件的制造，是國內較早將半導體氧化鎵材料產業化落地的企業之一。
業內普遍認為，氧化鎵將有望成為新一代半導體材料的代表。和前幾代材料相比，氧化鎵具有更優良的化學和熱穩定性、更低的成本價格、更高質量合成和更短的產業化優勢，在大功率、抗輻射電子器件領域有廣泛的應用前景。
有專業機構預測，2020-2025年全球氧化鎵材料市場年均增長率在40%以上。到2030年，全球氧化鎵功率器件市場規模預計將達到200億元左右。
據洪泰基金消息，目前，銘鎵半導體布局了氧化鎵材料產業全鏈路，擁有國內僅有且完備的涵蓋晶體制備—晶體加工—外延制備—性能檢測—器件設計的標準線。2021年，2英寸氧化鎵襯底材料實現小批量生產，除科研院所研發之外，還提供給重要的企業客戶小批量使用。
據悉，銘鎵半導體的博士研發團隊來自日本國立佐賀大學、東京大學、清華大學、中國科學院等國內外頂尖高校和科研院所，多位核心產業成員具備10年以上半導體領域從業經驗，擁有專利技術40余項。
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