2022年第三代半導體重點項目“版圖”，超15大項目背后芯勢力
2022年第三代半導體重點項目“版圖”，超15大項目背后芯勢力
集微網消息，上海、北京、天津、江蘇、安徽、河北、福建、湖北、四川、廣東、江西等地2022年重點項目計劃已于近期發布，“第三代半導體”依然作為熱門投資領域“上榜”。集微網不完全統計顯示，今年被列入省、市重點項目的第三代半導體項目已超15個。
從2022年入選市級以上重點第三代半導體項目分布地區來看，東南沿海地區占比超40%；京津環渤海地區占比超30%；長三角與中西部項目數相當。
以上項目中，超60%“專攻”SiC領域，超1/3研發、制造SiC襯底。從建設單位來看，天岳、天科合達、山東同光、露笑等一批國內代表性第三代半導體企業都有項目上榜，助推公司產能進一步擴升。
由于省市之間重點項目的制定存在一定差別。因此以上項目分布，并不能完整反應該地區第三代半導體產業發展實力情況。
北京：第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目
根據《北京市2022年重點工程計劃》文件，該項目單位為北京天科合達半導體股份有限公司，項目位于大興區，建設規模約5.5萬平方米，新建第三代半導體碳化硅襯底產業化基地，新建滿足400臺單晶生長爐生長、加工、清洗和檢測的廠房1座并建立配套的動力站、科研樓等配套。
2020年8月，天科合達第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目開工儀式在北京大興舉行。當時消息顯示，項目總投資約9.5億元，新建一條400臺/套碳化硅單晶生長爐及其配套切、磨、拋加工設備的碳化硅襯底生產線，建成后可年產碳化硅襯底12萬片。
上海：天岳碳化硅半導體材料項目
2021年8月，上海天岳半導體產業基地在臨港開工。
上海天岳半導體材料有限公司成立于2020年6月，是山東天岳先進科技股份有限公司的全資子公司。此前公開消息顯示，上海天岳建設“碳化硅半導體材料項目” 總建筑面積9.5萬平方米，總投資25億元，在達產年，形成年產導電型碳化硅晶錠2.6萬塊，對應襯底產品30萬片的生產能力。
安徽：第三代功率半導體(碳化硅)產業園項目
根據安徽2022年重點項目投資計劃，第三代功率半導體(碳化硅)產業園項目，建設地點位于合肥長豐縣，項目單位為合肥露笑半導體材料有限公司，總建筑面積8萬平方米，主要建設廠房、輔助用房，購置晶體生長爐、原料合成爐測試設備、超凈室、研發設備等先進設備。
2020年11月28日，露笑科技第三代功率半導體（碳化硅）產業園項目開工。此前公開消息顯示，該項目規劃總投資100億元，主要建設第三代功率半導體（碳化硅）的設備制造、長晶生產、襯底加工、外延制作等產業鏈的研發和生產基地。該項目一期投資21億元，達產后可形成年產24萬片導電型碳化硅襯底片和5萬片外延片的生產能力。
2021年11月7日，露笑科技發布公告稱，合肥露笑半導體一期已完成主要設備的安裝調試，進入正式投產階段。后續公司會根據市場訂單情況及一期投產情況完成產能的進一步擴張。
河北：同光高質量碳化硅單晶襯底及外延片產業化項目
2021年9月，同光晶體碳化硅單晶淶源項目正式投產，項目總投資10億元，計劃增購單晶生長爐600臺，滿產后，達到年產10萬片生產能力。
當時同光科技董事長鄭清超表示，下一步，同光正謀劃建設2000臺碳化硅晶體生長爐生長基地，以及年產60萬片碳化硅單晶襯底加工基地，擬總投資40億元，預計2025年末實現滿產運營。
天達晶陽半導體年產2.8萬片碳化硅晶片項目
此前清河經濟開發區消息顯示，天達晶陽公司投資建設碳化硅單晶體項目，總投資約7.3億元，項目建設分為兩期。其中，第一期為年產4英寸碳化硅晶片1.2萬片，使用單晶生長爐54臺。第二期年產分別為4-8英寸碳化硅晶片10.8萬片。
據悉，河北天達晶陽半導體技術股份有限公司成立于2020年6月，以中國科學院物理研究所、北京天科合達半導體股份有限公司為技術依托，采用的技術綜合實力在碳化硅單晶襯底行業排名國內第一、世界第四，達到了國內領先和國際先進水平。
青島：華芯晶元第三代半導體化合物晶片襯底項目
今年2月28日，青島華芯晶元第三代半導體項目開工。項目總投資7億元，占地50畝，建筑面積5.4萬平方米，項目采用碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等第三代半導體化合物材料加工生產相關芯片襯底產品，廣泛用于光電子器件及通訊微波射頻器件（4G、5G通訊基站），項目建成后，將實現年產33萬片第三代化合物半導體襯底晶圓的產業線。
而除部分已透露建設單位的項目之外，也有部分項目并未透露詳細情況，但根據落地地區、建設情況等信息，也可一窺端倪。
廣東：芯粵能碳化硅芯片生產線項目
芯粵能碳化硅芯片生產線項目總投資35億元，建設月產能2萬片的6英寸碳化硅芯片生產線。
廣東芯粵能半導體有限公司由世界500強企業吉利汽車參與投資。項目主要面向新能源汽車及相關應用領域的碳化硅（SiC）芯片產業化，包括芯片設計、芯片工藝研發與規模化制造等。
廣州：碳化硅單晶材料與晶片生產項目
根據官方信息，廣州碳化硅單晶材料與晶片生產項目位于南沙區。
值得一提的是，2020年7月8日，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司碳化硅單晶材料與晶片生產項目動工。據當時報道，該項目將擴大晶體生長和加工規模，并增加外延片加工生產線，達產后年產各類襯底片和外延片共20萬片，年產值將達13.5億元。
志橙半導體SiC材料研發制造總部
志橙半導體SiC材料研發制造總部項目主要從事半導體SiC涂層石墨基座生產，項目占地約15275.6平方米，其中建筑占地面積6885.07平方米，總建筑面積24346.92平方米，主要建筑物包括主廠房、供氫站、化學品供應站等。
廣州志橙半導體有限公司成立于2020年，為深圳市志橙半導體材料有限公司的全資控股子公司。深圳志橙專業為半導體芯片制造設備提供核心部件SiC涂層石墨基座（以下簡稱“石墨盤”），是目前國內唯一量產半導體外延用SiC涂層石墨基座的高科技企業。
東莞：第三代半導體襯底及裝備產業化項目
據東莞市發改委消息，第三代半導體襯底及裝備產業化項目計劃投資60080萬元，項目位于東莞松山湖，將實現圖形化藍寶石襯底年產量約6120萬片（折合2英寸），計劃投產時間為2023年12月。
圖片
東莞市人民政府官網網站信息顯示，位于松山湖的中圖半導體襯底及裝備產業化項目總投資也為60080萬元，占地約57畝，總建筑面積67387平方米。項目主要從事2-6英寸圖形化藍寶石襯底（簡稱PSS）的研發與生產。兩者或為同一項目。（校對/西農落）
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