SiC器件具有耐高溫、耐高壓、高頻特性好、轉化效率高、體積小和重量輕等優點，被廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、光伏、5G通訊等領域。但“高硬度、高脆性、低斷裂韌性”的碳化硅，對生產工藝有著極其苛刻的要求，而大尺寸的碳化硅晶體制備一直是行業的“卡脖子”技術。

此次研發成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發上取得的重大突破。

這不但成功解決了8英寸SiC晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點問題，同時還破解了SiC器件成本中襯底占比過高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛應用打下基礎。

成本問題一直制約著SiC的發展。據Wolfspeed財報說明，SiC從6英寸升級為8英寸，晶圓成本是增加的，但從8英寸晶圓中獲得的優良裸片數量可增加20%～30%，產量更高，最終的芯片成本將更低。

近年來，各大SiC廠商加速8英寸晶圓的開發量產進程。

國際上，意法半導體瑞典北雪平工廠成功制造出首批8英寸SiC晶圓片；SiC龍頭WolfSpeed啟用并開始試產旗下一座8英寸新廠；法國Soitec半導體公司發布首款8英寸SmartSiC晶圓。

國內方面，爍科晶體實現了8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產，向8英寸國產N型碳化硅拋光片的批量化生產邁出了關鍵一步；中科院物理所于2021年10月在自研的襯底上初步生長出了8英寸SiC晶體，后又成功生長出了單一4H晶型的8英寸SiC晶體，晶坯厚度接近19.6mm，加工出了厚度約2mm的8英寸SiC晶片。

當前，6英寸SiC仍是產業內的主流，但目前各大廠商加快8英寸量產步伐，8英寸碳化硅時代的鐘聲或許即將敲響。