差點打敗晶體管的一種放大器來源：內容由半導體行業觀察（ID：icbank）編譯自IEEE，謝謝。在第二次世界大戰期間，德國軍方開發了一些在當時看來是非常復雜的技術，包括用來對倫敦造成破壞的V-2 火箭。然而，V-2 ...
【這一周】意法半導體二季度全線產品全面漲價；碳化硅襯底供應商同光股份開啟上市輔導；三安和理想汽車正式成立合資公司點擊藍字 關注我們1、ST二季度全線產品全面漲價 繼去年四季度開始全產品線漲價...
2022年第三代半導體重點項目“版圖”，超15大項目背后芯勢力集微網消息，上海、北京、天津、江蘇、安徽、河北、福建、湖北、四川、廣東、江西等地2022年重點項目計劃已于近期發布，“第三代半導體”依然作為熱門投資...
機構：全球模擬IC今年產值估達832億美元 年增12%再創高研調機構IC Insights24日出具報告指出，2021年模擬IC產值激增達30%，預計今年產值、出貨量與銷售單價將持續成長，分別達832億美元、2387億顆與0.35美元，年...
ICinsights：模擬芯片市場持續火熱據ICinsights報道，在2020 年因 Covid-19 病毒危機導致的全球衰退后，模擬半導體的銷售額在 2021 年同比飆升至前所未有的 30% ，預計 2022 年模擬集成電路市場又將實現兩位數增...
幾種常見的溝槽結構SiC MOSFET類型SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。但是，溝槽結構可以增加單元密度，沒有JFET效應，寄生電容更小，開關速度快，開關...
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