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    年產22萬片SiC！這個35億碳化硅芯片項目簽約浙江
    來源：化合物半導體市場

    7月18日，在“2021上海·金華周”開幕式上，16個項目集中簽約，包括總投資35億元的世紀金光第三代半導體碳化硅芯片項目。

    年產22萬片SiC，產值達40億！

    據悉，世紀金光第三代半導體碳化硅芯片項目總投資35億元，建設年產22萬片6~8英寸碳化硅芯片生產線，項目分三期完成建設，三期項目全部達產后可實現年產值約40億元。項目建成后將助推上下游關聯產業的發展，預計可帶動上下游產業近千億產值。

    世紀金光在SiC領域的發展歷程

    2015年，第一款SiC SBD研制成功，開始SiC全產業鏈工業生產線建設

    2016年，第一款SiC MOSFET器件研發成功

    2017年，獲得國家集成電路產業投資基金投資，“企業研發中心”獲批“第三代半導體功率器件設計與驗證北京市工程實驗室”

    SiC從粉料到功率器件產業鏈建成并投產

    2018年，國內首條6英寸SiC器件生產線通線

    2019年，獲得“第三代半導體功率器件與驗證中試服務平臺”授牌

    關于世紀金光

    世紀金光是一家貫通碳化硅全產業鏈的綜合半導體企業，致力于第三代半導體功能材料和功率器件研發與生產，是國內第一家擁有SiC全產業鏈技術的半導體公司。

    目前，“世紀金光”碳化硅6英寸單晶已量產；功率器件和模塊制備已覆蓋額定電壓650-1700V、額定電流5-100A的碳化硅肖特基二極管（SBD），額定電壓650-1200V、額定電流20-100A的金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），50-600A的全橋、半橋混合功率模塊及全碳化硅功率模塊等。

    在終端應用方面，世紀金光碳化硅功率器件已經成熟應用于電源PFC、充電樁充電模組、光伏逆變器、特種電源等領域；基于碳化硅技術的新能源汽車電機驅動系統的技術開發已經獲得重要進展。

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