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第三代半導體發展駛向快車道-SiC發展得襯底者得天下

發布時間:2021-10-15發布人:

第三代半導體發展駛向快車道-SiC發展得襯底者得天下

來源:愛集微


       集微咨詢認為,當前,在全球推進“碳達峰”、實現“碳中和”的趨勢浪潮下,第三代化合物半導體正在加速發展。而以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料是繼硅材料之后最有前景的半導體材料之一。

 

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