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美日再次領銜!第三代半導體碳化硅專利排名曝光

發布時間:2021-10-13發布人:

美日再次領銜!第三代半導體碳化硅專利排名曝光

來源:中關村在線


       芯研所消息,隨著第三代半導體的日漸成熟,關于技術專利的分布情況,到底又是什么態勢呢?


       近日能夠有助延長電動車續航力的第三代關鍵半導體材料碳化硅(SiC)專利技術排名,正式公布。

 


       據悉該項技術依舊由美日廠商所主導,并占據了專利數量占據前五名,最多的是美企Wolfspeed(前身為科銳CREE),之后全由日企拿下,日本芯片制造商Rohm 第二名,之后依序是住友電工、三菱電機和Denso。


       SiC 比芯片產業主流材料硅更硬,性能更穩定, 整體來看,碳化硅的耐高壓能力是硅的10倍、耐高溫能力是硅的2倍、高頻能力是硅的2倍。SiC還有助節能,加上特斯拉率先將SiC 芯片用在量產車,有助推動SiC 材料需求,且在電動車或太陽能產業等領域更普及。

      
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