2025年EUV光刻膠市場規(guī)模預計超過2億美元
2025年EUV光刻膠市場規(guī)模預計超過2億美元
（中國電子報 張心怡）電子材料咨詢機構(gòu)TECHCET近期研報（以下簡稱研報）顯示，隨著高端芯片所需的先進制程工藝加速引入EUV，金屬氧化物、干沉積、多觸發(fā)等EUV光刻膠的市場規(guī)模將在2025年超過2億美元。
光刻膠是光刻工藝的核心耗材，EUV光刻膠是其中發(fā)展最快的品類之一。TECHCET此前報告指出，用于半導體的光刻膠的營收規(guī)模預計在2022年增長7.5%至23億美元，2025年超過25億美元，2021年—2026年復合增長率為5.9%。而EUV光刻膠2021年的市場規(guī)模僅約0.6億美元，預計到2025年達到2億美元，2020年-2025年復合增長率達50%，遠高于光刻膠市場平均增速。
研報指出，金屬氧化物、干沉積、多觸發(fā)等光刻膠材料在EUV技術(shù)平臺有著較為廣闊的應用前景。金屬氧化物光刻膠具有高耐蝕性，可以消除在抗蝕劑上面所需的額外層。干沉積光刻膠提供了消除液體顯影和沉積的機會。多觸發(fā)光刻膠能夠持續(xù)使用較低的曝光能量，在多次曝光中發(fā)揮作用。
目前，IC、存儲器等半導體器件制造廠商都在引入EUV技術(shù)。在邏輯IC方面，隨著先進制程節(jié)點的不斷引入，EUV技術(shù)被規(guī)模化應用，EUV光刻膠的市場規(guī)模快速增長。在存儲器方面，存儲廠商已經(jīng)開始將EUV技術(shù)引入DRAM生產(chǎn)。除了光刻膠，EUV也帶來了掃描儀光學器件和3D模式技術(shù)等一系列變化。
而g線、i線、KrF、ArF等相對成熟制程使用的光刻膠也有望保持增長。KrF光刻膠在3D NAND存儲器用量和堆疊層數(shù)不斷增加的過程中保持增長。ArF光刻膠也隨著多重曝光技術(shù)的使用實現(xiàn)增長。
“隨著晶圓代工廠在先進制程的資本支出越來越高，光刻材料在半導體制造中變得至關(guān)重要，是光刻加工的重要組成。因此，EUV等材料和工藝創(chuàng)新會加速發(fā)展。”TECHCET首席執(zhí)行官Lita Shon-Roy表示。
研報顯示，在EUV光刻膠等材料的推動下，光刻材料市場有望在未來3-4年隨著細線寬（孔間四條線或平均線寬在5～6mil以下稱為細線）器件制造實現(xiàn)5倍的增長。
轉(zhuǎn)載：中國電子報
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