把碳化硅襯底推向國際，三安光電在行動！
把碳化硅襯底推向國際，三安光電在行動！
近日，三安光電在互動平臺表示，公司全資子公司湖南三安的碳化硅襯底已向多家國際大廠送樣驗證，已獲得客戶的驗證通過并實現銷售。
據悉，湖南三安主要從事碳化硅、硅基氮化鎵等第三代化合物半導體的研發及產業化，投資總額160億元(含土地使用權和流動資金)，項目達產后配套產能約36萬片/年。截止2022年6月末，湖南三安已到產能6000片/月。
碳化硅襯底是制造碳化硅器件最基礎的材料，也是發展SiC的關鍵，沒有碳化硅襯底就無法制造出碳化硅器件。目前，以襯底和外延為主的碳化硅材料占據了整個碳化硅產業鏈近70%的價值量，其中襯底價值量占比接近50%。
有業內人士稱，碳化硅襯底的成本和產量將長期成為第三代半導體行業的關鍵競爭核心。
TrendForce集邦咨詢表示，相較傳統Si base，第三代功率半導體襯底制造難度較高且成本較為昂貴，目前在各大襯底供應商的開發下，包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等業者陸續擴增產能，并將在2022下半年量產8吋襯底，預期第三代功率半導體未來幾年產值仍有成長的空間。
近年來，三安光電在碳化硅領域發展提速。日前，湖南三安宣布于近日順利取得IATF 16949汽車行業質量管理體系認證證書。這標志著湖南三安順利取得進入汽車供應鏈的金鑰匙。
今年7月，湖南三安半導體項目二期項目工程正式開工。項目總投資80億元，預計將于今年內建成投產。主要建設具有自主知識產權，以碳化硅、氮化鎵等為主的第三代半導體全產業鏈生產與研發基地。
2022年上半年，湖南三安實現營收2.09億元，并且成功盈利凈利潤9046萬元。由此可見，SiC產品已經成為三安光電的利潤增長點。（文：化合物半導體市場 Doris整理）
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