上海、南京再發利好,事關第三代半導體
近日,上海、南京先后發布利好政策。
上海:到2030年未來產業產值達到5000億元左右
近日,上海市人民政府印發《上海打造未來產業創新高地發展壯大未來產業集群行動方案》。
方案提出,到2030年,在未來健康、未來智能、未來能源、未來空間、未來材料等領域涌現一批具有世界影響力的硬核成果、創新企業和領軍人才,未來產業產值達到5000億元左右。打造5個未來產業集群,建設15個左右未來產業先導區,攻關100個左右核心部件,推出100件左右高端產品,形成100項左右中國標準,促進產業集聚引領發展。
方案中提出,將推動碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體化合物發展,持續提升寬禁帶半導體化合物晶體制備技術能級和量產規模,積極布局寬禁帶半導體晶圓制造工藝技術,增強寬禁帶半導體芯片產品設計能力,擴大產品應用領域。積極推動石墨烯、碳納米管等碳基芯片材料,半導體二維材料等未來非硅基半導體材料技術研究和布局。
南京:到2025年,沖刺2.7萬億元
近期,南京相繼出臺《南京市推進軟件名城提質升級?打造萬億級產業行動計劃》《南京市全力打造五千億級智能電網產業集群行動計劃》《南京市打造新能源汽車產業集群行動計劃》《南京市加快培育新賽道發展未來產業行動計劃》《南京市打造生物醫藥產業集群行動計劃》《南京市加快推進集成電路產業鏈高質量發展三年行動計劃(2023—2025年)》《南京市打造千億級智能制造裝備創新型產業集群行動計劃》7個行動計劃。
按照計劃,力爭到2025年,上述創新型產業體系總規模達2.7萬億元,建成1個萬億級和一批千億級創新型產業集群,將南京建設成為具有國際影響力的先進制造業基地。
《計劃》提出,要重點發展新一代人工智能、第三代半導體、基因與細胞、元宇宙、未來網絡與先進通信、儲能與氫能六大未來產業。
第三代半導體方面,加快推進射頻集成電路產業化基地、外延材料產業基地等重大項目建設,推動國家第三代半導體技術創新中心(南京)建設。(文:化合物半導體市場 Cecilia整理)
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