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SiC企業襯底項目及產品規劃盤點!打造碳化硅生態圈

發布時間:2022-10-13發布人:

SiC企業襯底項目及產品規劃盤點!打造碳化硅生態圈


 碳化硅的優勢 


碳化硅作為第三代半導體材料中的明星產品,其具備極好的耐壓性、導熱性和耐熱性,是制造功率器件、大功率射頻器件的突破性材料。根據Wolfspeed預計,2022年全球碳化硅器件市場規模達43億美元,2026年碳化硅器件市場規模有望成長至89億美元。當前SiC功率器件價格較高,是硅基IGBT的3~5倍左右,但憑借優異的系統節能特性,SiC器件開始在新能源汽車、光伏、儲能等領域替代硅基器件。

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 兩種類型的碳化硅材料 


按照電學性能的不同,碳化硅襯底可分為半絕緣型碳化硅襯底和導電型碳化硅襯底兩類,這兩類襯底經外延生長后主要用于制造功率器件、射頻器件等分立器件。其中,半絕緣型碳化硅襯底主要應用于制造氮化鎵射頻器件。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層,制得碳化硅基氮化鎵外延片,可進一步制成HEMT等氮化鎵射頻器件。導電型碳化硅襯底主要應用于制造功率器件。與傳統硅功率器件制作工藝不同,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上,需在導電型襯底上生長碳化硅外延層得到碳化硅外延片,并在外延層上制造肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件。


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導電型襯底在功率器件中得到廣泛應用,下游市場包括新能源汽車、光伏、高鐵、工業電源等領域。導電型碳化硅襯底主要應用于制造功率器件,功率器件是電力電子行業的重要基礎元器件之一,廣泛應用于電力設備的電能轉化和電路控制等領域,涉及經濟與生活的方方面面。碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,較好地契合功率器件的要求,因而在近年被快速推廣應用,例如新能源汽車、光伏發電等領域。

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碳化硅功率器件應用領域




 碳化硅下游應用市場與規模 


根據YOLE的數據,2021年全球碳化硅功率器件市場規模為10.90億美元,其中應用于汽車市場的碳化硅功率器件市場規模為6.85億美元,占比約為63%;其次分別是能源、工業等領域,2021年市場規模分別為1.54億、1.26億美元,占比分別為14.1%、11.6%。未來隨著碳化硅器件在新能源汽車、能源、工業等領域滲透率不斷提升,碳化硅器件市場規模有望持續提升。根據Yole的預測,2027年全球碳化硅功率器件市場規模有望達62.97億美元,2021-2027年CAGR達34%;其中汽車市場碳化硅功率器件規模有望達49.86億美元,占比達79.2%,汽車仍為碳化硅功率器件下游第一大應用市場。


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汽車是碳化硅功率器件最大的下游應用市場。




碳化硅在電動汽車領域主要用于:主驅逆變器、車載充電系統(OBC)、電源轉換系統(車載DC/DC)和非車載充電樁。根據全球碳化硅領域龍頭廠商Wolfspeed公司的預測,到2026年汽車中逆變器所占據的碳化硅價值量約為83%,是電動汽車中價值量最大的部分。其次為OBC,價值量占比約為15%;DC-DC轉換器中SiC價值量占比在2%左右。此外,電動汽車充電樁也是SiC器件的一大應用領域。


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全球新能源汽車銷量不斷增長,頭部廠商逐漸采用碳化硅器件。根據工信部的數據,2021年全球新能源車銷量為675萬輛,同比增長108%;其中,中國新能源汽車市場持續突破,2021年銷量達352萬輛,同比增長160%以上。




特斯拉是業界首個在電動汽車中采用碳化硅主驅逆變器模塊的車企,2018年,特斯拉在Model3中首次將IGBT模塊換成了SiC模塊。當前越來越多的車廠正在轉向在電驅中使用碳化硅MOSFET器件,目前除特斯拉Model3外,還有比亞迪漢EV、比亞迪新款唐EV、蔚來ES7、蔚來ET7、蔚來ET5、小鵬G9、保時捷Tayan和現代ioniq5等車型已經在電驅中采用了碳化硅器件。

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在主驅逆變器中采用 SiC 器件的車企




汽車高壓平臺升級,800V時代SiC成為剛需


新能源汽車行業一個亟待解決的問題就是“里程焦慮”,提升充電速度就需要提升充電樁的輸出功率,則需要提升充電電壓或電流。根據Wolfspeed數據,當前我國商用的主流快充充電樁的功率為100~150KW,電動汽車充電400KM里程所需的時間為40~27分鐘。若充電樁采用350KW大功率快充系統,400KM里程所需充電時間可大大縮短至12~15分鐘。提升充電功率可以通過提高電流或者電壓兩種方式來實現。然而,如果通過提升電流來增大充電功率,會帶來以下問題:(1)根據功率計算公式,電流的提升會導致系統功率損耗增大;(2)電流增大,根據焦耳定律系統發熱會加劇,冷卻系統成本增高;(3)所需線束更粗,線束重量將增大。因此提升電壓以實現大功率快充成為行業的多數選擇。


如果采用碳化硅系統,800V電動汽車的整車效率將得到顯著提升。根據PCIMEurope的研究,按照WLTC工況測試,基于750V硅基IGBT模塊及1200V碳化硅模塊仿真,400V電壓平臺下,1200V碳化硅模塊相比于750V硅基IGBT模塊,整車損耗可降低6.9%;然而在800V高壓平臺下,整車損耗可降低7.6%。此外,由于碳化硅器件功率密度更大,采用碳化硅器件的電動汽車、充電樁可以在較小的體積內達到較大的功率,從而節省車內空間,減輕車身重量。


為了提升電動汽車充電速度、緩解里程焦慮,越來越多的整車廠布局800V高壓平臺。保時捷Taycan是全球首款量產的800V高壓平臺車型,并將最大充電功率提升至350KW。此外,奧迪e-tronGT、現代Ioniq5和起亞EV6都采用了800V高壓平臺。與此同時,國內的車企亦紛紛向800V高壓平臺邁進。2021年,比亞迪、吉利、極狐、廣汽、小鵬等都陸續發布了搭載800V平臺的車型,其中小鵬、比亞迪等800V高壓車型有望2022年量產。800V平臺的推廣有望推動SiC器件在電動汽車中的滲透率快速提升。


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部分已采用或預計采用 800V 平臺的車企




 碳化硅產業鏈 



碳化硅產業鏈主要包括襯底、外延、器件設計、器件制造、封測等。從工藝流程上看,碳化硅一般是先被制作成晶錠,然后經過切片、打磨、拋光得到碳化硅襯底;襯底經過外延生長得到外延片。外延片經過光刻、刻蝕、離子注入、沉積等步驟制造成器件。將晶圓切割成die,經過封裝得到器件,器件組合在一起放入特殊外殼中組裝成模組。


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碳化硅產業鏈價值集中于上游襯底和外延環節。根據CASA的數據,襯底約占碳化硅器件成本的47%,外延環節又占據23%,制造前的成本占據全部成本的70%。而對于Si基器件來說,晶圓制造占據50%的成本,硅片襯底僅占據7%的成本,碳化硅器件上游襯底和外延價值量凸顯。由于碳化硅襯底及外延價格相對硅片較為昂貴,碳化硅功率器件現階段滲透率較低。然而,由于碳化硅器件高效率、高功率密度等特性,新能源汽車、能源、工業等領域的強勁需求有望帶動碳化硅滲透率快速提升。

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對于碳化硅行業來說,目前襯底、 器件制造產能受限是行業的主要瓶頸。一塊碳化硅外延片制造過程主要包括:籽晶制造、晶棒制造、切片拋光、外延層生長四個部分, 各個環節的長晶速率、良率等均有較大提升空間。




在襯底尺寸方面的研發進度 




中國企業在單晶襯底方面以4英寸為主,目前國內企業已經開發出了6英寸導電性碳化硅襯底和高純半絕緣碳化硅襯底。其中天科合達和天岳先進為主的碳化硅晶片廠商發展速度較快,市占率提升明顯,三安光電(北電新材)在碳化硅方面也在深度布局。


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國內 SiC 襯底項目及產品規劃




隨著 SiC 需求的不斷增長, 國內襯底廠商不斷擴大投資產能, 下游企業也以簽長約方式確保上游材料穩定供應。 根據碳化硅芯觀察的統計, 截至 2022 年 7 月市場上在建、產能爬坡及規劃的產能情況來看, 碳化硅襯底規劃投資超 400 億元,未來遠期規劃年產能超 600 萬片,國內碳化硅廠商正起燎原之勢。 


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國內 SiC 襯底項目及產品規劃 



國內 SiC 器件制造企業




SiC 器件制造需求大增, 國內廠商加速追趕國際龍頭。傳統功率器件制造商與新興 SiC 器件制造商紛紛入局, 時代電氣、斯達半導、揚杰科技、華潤微、士蘭微、積塔半導體、中芯紹興等傳統功率器件廠商紛紛加大 SiC 器件制造產線的研發、投資力度;長飛先進、 泰科天潤、 基本半導體、世紀金光、中科漢韻、 瞻芯等新興SiC 器件制造商也異軍突起;三安集成亦大力投資長沙 SiC 超級工廠。


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我國大力發展第三代半導體產業, 國內 SiC 產業鏈也在逐步成形。國內垂直一體化 SiC 廠商為三安光電;國內 SiC 設備公司主要包括北方華創、晶盛機電、中微公司、芯源微等;襯底制造商主要有天岳先進、天科合達、 東尼電子、 露笑科技、山西爍科、同光晶體、超芯星、南砂晶圓等;外延廠商包括東莞天域、瀚天天成等;器件設計廠商包括 APS、派恩杰、愛仕特、清純半導體等;器件制造廠商主要包括時代電氣、 華潤微、士蘭微、 揚杰科技、聞泰科技、 國聯萬眾、長飛先進、積塔半導體、 泰科天潤等;終端應用廠商主要有比亞迪半導體等 。


 國內碳化硅生態圈 


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信息來源:民生證券,天科合達招股書,DT新材料整理

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