國家第三代半導體技術創新中心召開 第一屆理事會第一次會議
國家第三代半導體技術創新中心召開 第一屆理事會第一次會議
9月23日，國家第三代半導體技術創新中心（以下簡稱國創中心）在京召開第一屆理事會第一次會議，標志著國創中心正式邁入實際運行階段。科技部有關領導，北京、山西、湖南、江蘇、深圳等地方政府負責同志，中國電子科技集團有限公司（以下簡稱中國電科）主要負責同志出席會議。
會議審議了國創中心《理事會章程》《建設運行方案》《2022年工作重點及目標》《第三代半導體躍升工程行動計劃（建議稿）》，審議通過了第一屆理事長、副理事長、理事，專家委員會主任、成員，國創中心主任人選，并聽取了國創中心前期工作匯報。
國創中心由科技部批復同意建設，旨在瞄準國家戰略需求，統籌全國優勢力量，聚焦第三代半導體關鍵核心技術和重大應用方向，推進各類相關創新主體和創新要素有效協同，輸出高質量科技創新成果，培育發展新動能,推動我國第三代半導體產業創新能力整體躍升。
國創中心按照“一體統籌規劃、多地分布布局、協同聯動創新”和“存量帶動增量”的建設思路，在科技部的統一指導下，由中國電科與相關省市協商設立，布局深圳、南京、蘇州、湖南、山西、北京等六個區域中心，有效銜接政府支持和企業需求，聯合行業龍頭企業，協同全國50余家科研機構，初步形成了“核心+基地+網絡”的創新格局。目前，已聚集第三代半導體領域多個院士團隊，行業領軍人才50余名，形成500多人規模的專職團隊，聚焦產業鏈薄弱環節重點發力，取得了階段性進展和成效。
會議以“現場+視頻”形式舉行。北京、山西、江蘇、湖南、深圳、南京、蘇州等地有關部門負責人，國創中心相關建設單位負責人參加會議。
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