上海“科技創(chuàng)新行動計劃”集成電路領(lǐng)域擬立項項目公示，涉及存儲器、光刻膠等
上海“科技創(chuàng)新行動計劃”集成電路領(lǐng)域擬立項項目公示，涉及存儲器、光刻膠等
9月5日，上海市科學(xué)技術(shù)委員會公示上海市2022年度“科技創(chuàng)新行動計劃”集成電路領(lǐng)域擬立項項目，公示期為9月5日至9月9日。
擬立項項目共9個，包括“并行探針陣列電子束光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”，項目承擔(dān)單位為百及納米科技（上海）有限公司；
“面向化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的分子束外延裝備及核心部件研制”，項目承擔(dān)單位為費勉儀器科技（上海）有限公司；
“新型柔性存儲器及存算一體技術(shù)研究”，項目承擔(dān)單位為復(fù)旦大學(xué)；
“基于有機(jī)無機(jī)雜化金屬氧化物的EUV光刻膠干法制備關(guān)鍵技術(shù)研究”，項目承擔(dān)單位為華東理工大學(xué)；
“ForkSheet場效應(yīng)晶體管關(guān)鍵技術(shù)研究”，項目承擔(dān)單位為上海集成電路研發(fā)中心有限公司；
“面向B5G/6G毫米波應(yīng)用的低功耗高帶寬多芯片集成技術(shù)研究”，項目承擔(dān)單位為上海交通大學(xué)；
“芯片先進(jìn)封裝用高導(dǎo)熱石墨烯強(qiáng)化界面散熱材料研發(fā)”項目承擔(dān)單位為上海瑞烯新材料科技有限公司；
“集成電路工藝檢測設(shè)備用超寬光譜光源”，項目承擔(dān)單位為上海神光激光技術(shù)制造裝備研發(fā)有限公司；
“基于先進(jìn)CMOS工藝的新型SOI晶體管關(guān)鍵技術(shù)研究”，項目承擔(dān)單位為中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所。
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