小基站，顧名思義，在產品形態、發射功率和覆蓋范圍等方面都比宏基站小很多，一般只能支持一個載頻，能提供的容量較小。與宏基站相比，小基站能夠深入室內做弱信號和盲區的定點覆蓋，可以有效解決5G宏基站穿透性差和選址難等痛點。此外，在熱點區域，小基站的小功率使其可以在更小的范圍內進行頻率復用，提升系統容量，幫助宏基站分擔流量負荷。可以看到，小基站在5G生態中將發揮重要作用。

隨著5G用例的推動和小基站市場的起量，人們對無線通信的傳輸速度提出了新的需求，推動小基站從頻率、帶寬、效率到可靠性等多方面的提高。其中，PA作為小基站中射頻前端的核心部件備受關注。

PA，又稱功率放大器，主要用于發射鏈路，通過把發射通道的微弱射頻信號放大，使信號成功獲得足夠高的功率，從而實現更高通信質量、更強電池續航能力、更遠通信距離。PA的性能直接決定了通信信號的強弱和穩定性，在保障基站通信質量方面作用顯著。

從市場現狀來看，目前應用在基站上的PA主要以進口為主，國產替代呼聲很高。從規模來看，2021年微基站PA市場規模為5億元。隨著后續5G的普及和基站規模的提升，可以預見，5G時代應用在小基站上的射頻PA將迎來新的發展機遇。

在廣闊的市場需求和國內政策大力支持的背景下，涌現出了一批優秀的本土射頻微波芯片設計廠商，成都明夷電子科技有限公司（以下簡稱“明夷科技”）便是其中之一。

明夷科技憑借著深厚的技術實力和經驗積累，近日發布了四款4W系列砷化鎵高效率功率放大器芯片，頻率分別覆蓋：1.8GHz (型號MYS11301)、2.1GHz (型號MYS22301)、2.3GHz (型號MYS22314)、2.6GHz (型號MYS22302)，主要用于FDD/TDD 4G/5G通訊小基站末級場景。

據介紹，該系列芯片性能均達到業界優秀水平，從產品設計上來看，明夷科技的PA芯片采用GaAs HBT工藝，采用系統布局更簡潔靈活的集成結構，應用Doherty架構來實現高效率，同時具備高增益、寬IBW處理能力和高開環線性，可以通過搭配外部通用的DPD系統來實現高閉環線性。

Doherty 結構圖

其中，Doherty架構對設計開發要求較高，國內芯片廠商主要是做手機PA，用不到Doherty架構。基站市場相對消費市場規模較小，門檻較高，布局基站PA的本土廠商較少。而明夷科技深耕于此，專注于通信芯片開發設計，通過持續的技術迭代和演進，成功推出了小基站用PA產品，采用GaAs HBT工藝和Doherty架構兼顧芯片成本和性能。

得益于以上設計，明夷科技PA芯片的工作帶寬覆蓋了1.8-2.6GHz通訊小站場景的主流頻段，并且在28dBm功率等級下能獲得29-33%的發射效率，以及支持100MHz載波校準-51dBc以下的線性度，展現出了十分優異的性能表現，能夠更加適應室內覆蓋應用中不同微站功率等級的配置需求。

明夷科技該系列產品與業界主流方案兼容，具備明顯的成本優勢和供應保障，已經達到了對標國外行業巨頭競品的水平和程度。據悉，目前該系列產品已經完成研發，處于送樣階段。

從行業格局來看，由于射頻器件對設計經驗及工藝的要求較高，且PA為結構最復雜的前端核心器件，目前全球市場基本上由國外射頻巨頭所壟斷，Skyworks和Qorvo占據大部分市場份額。

相比國外主流廠商，本土企業起步較晚，但目前國內已有多家公司研制出基站用PA產品，

也已經開始出貨，產品指標已經可以做到與頭部廠商相當水平，且在價格和服務方面具備優勢。

隨著本次明夷科技PA系列產品的成功推出，再次彰顯了國內廠商在射頻通訊領域領先的產品開發能力和技術實力。

另一方面，隨著半導體材料的不斷發展，功率放大器正在經歷LDMOS、GaAs、GaN等幾大技術路線。由于小基站不需要特別高的功率，功率放大器目前仍以具備可靠性和高性價比優勢的GaAs和LDMOS工藝為主。但隨著GaN器件成本的降低，技術的提升和基站產品對更高輸出功率的需求，GaN PA開始在小基站應用中逐步拓展。

不同材料射頻器件的功率頻率特性

（圖源：Analog Devices）

明夷科技表示，隨著市場需求和技術的發展，小基站PA會更進一步要求提升頻率、輸出功率和效率，由現有的4W提升到10-20W，屆時GaAs HBT工藝的PA將無法滿足需求，需要GaN工藝去實現。

GaN材料具有優異的高功率密度、高頻特性和截止頻率，在MIMO應用中，可實現高整合性解決方案。未來，GaN PA將成為基站應用的主流技術。據Yole數據統計，GaN器件的射頻市場預計將從2017年的3.8億美元增長到2023年的13億美元。

在市場需求和技術迭代趨勢下，也構成了明夷科技未來發展的方向，“明夷科技會依靠現有的客戶和市場基礎，向外發散推廣，同時進一步補齊4W PA的其他頻段（如3.5GHz等），不斷完善產品系列。同時研究GaN工藝，以實現更高功率和效率的訴求，也使明夷科技能夠在芯片國產化的浪潮中，引領行業。”

目前，明夷科技在在成都擁有4000㎡的生產線和實驗室，在上海建有高級研發中心，在南京、西安設立實驗室，在深圳設有銷售中心，來自國內外知名院校及行業頂尖企業的核心團隊擅長GaAs、CMOS、SiGe、SOI和GaN等工藝的芯片開發設計，擁有業內領先的開發能力和豐富的量產經驗。基于此，明夷科技積累了豐富的產品線，覆蓋射頻前端芯片、光電芯片、以太網PHY芯片以及高性能模擬芯片，射頻前端芯片包括PA、LNA、開關、單/雙通道接收FEM、TX/RX DVGA、驅動放大器、分立式放大器管芯、Wi-Fi 6 FEM等，提供5G m-MIMO、宏站和小站的射頻小信號全套解決方案。

在射頻行業不同細分市場持續獲得行業標桿性客戶的認可和量產出貨的證明下，明夷科技顯示出堅實的基礎技術積累和創新能力，團隊能夠在業務擴張、跨界競爭過程中更具競爭優勢。

未來，明夷科技將繼續擴大基站射頻芯片和固網接入光電芯片優勢，突破高端模擬芯片技術，為客戶提供更多通信芯片解決方案。同時，進軍WiFi、MCU等消費領域，從而在基站、WiFi和光通信等細分芯片領域均達到國際領先水平。

能夠看到，基站PA市場需求旺盛，正迎來快速發展階段，GaN工藝技術也正在走向未來市場發展的主流。

結合當前芯片國產化趨勢的浪潮，國產廠商迎來新的發展機遇。明夷科技躋身其中，致力于通過長期的技術積累與創新，構建起完善的射頻和模擬產品線布局及產品質量和可靠性管理體系，為客戶提供高性能、低功耗、高可靠性的產品及解決方案。

此次明夷科技在PA芯片的率先破局，吹響了大舉進攻射頻市場新藍海的號角。

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