基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布推出 PMCB60XN 和 PMCB60XNE 30V N 溝道小信號 Trench MOSFET，該產品采用超緊湊晶圓級 DSN1006 封裝，具有市場領先的 RDS(on) 特性，在空間受限和電池續航運行至關重要的情況下，可使電力更為持久。
新型 MOSFET 非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統功耗的需求。
RDS(on) 與競爭器件相比性能提升了 25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關和電池管理效率。其卓越的性能還表現在自發熱降低，從而增強可穿戴設備的用戶舒適度。
具體而言，在 VGS = 4.5V 時，PMCB60XN 和 PMCB60XNE的最大 RDS(on) 分別為 50mΩ 和 55mΩ。因此，在市場上類似的 30V MOSFET 中， PMCB60XN 和 PMCB60XNE 單個芯片面積導通電阻最低。此外，PMCB60XNE 在集成于 1.0mm ×0.6mm×0.2mm 的 DSN1006 小型外形中，還可提供額定 2kV ESD 保護（人體模型 – HBM）。這兩款 MOSFET 的額定漏極電流最高均可達 4A。
除了采用 DSN1006 封裝的這兩款 MOSFET 外，Nexperia（安世半導體）還推出了一款采用 DSN1010 封裝的 12V N 溝道 Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN 在 VGS = 4.5 V 時的最大 RDS(on)為16mΩ，在 0.96mm ×0.96mm ×0.24mm（SOT8007） 尺寸下可具備市場領先的效率。
