近日,長沙湘江新區全域145個重大項目集中啟動開竣工儀式,其中,湖南三安半導體項目二期項目工程正式開工。
三安半導體二期項目總投資80億元,占地面積480畝,按照規劃,二期項目預計將于今年內建成投產。
資料顯示,湖南三安半導體項目總投資約160億元,占地面積約1000畝,主要建設具有自主知識產權,以碳化硅、氮化鎵等為主的第三代半導體全產業鏈生產與研發基地。
該項目分兩期建設,建設周期為48個月。一期項目主要聚焦碳化硅長晶、襯底、外延、芯片、器件封裝等廠房及相關配套設施建設,項目產品主要應用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和無線(5G)通訊等領域。
2021年6月,項目一期已實現點亮試投產,成為國內首條、全球第三條SiC垂直整合產線,產線覆蓋襯底材料、外延生長、晶圓制造、封裝測試等主要環節,建成后可實現6英寸SiC晶圓月產能30,000片。
據悉,目前一期項目長晶、襯底、外延、芯片車間已全線正式批量生產,月產能力2萬片。整個項目達產后,將實現年產值120億元,年稅收13億元,增加就業1.2萬人。
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