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國家第三代半導體技術創新中心-漢天下寬帶通信濾波器芯片技術聯合研發中心成立

蘇州漢天下電子有限公司以高性能體聲波濾波器的研發與應用開發為主線，解決設計、工藝等關鍵共性技術問題，聯合江蘇第三代半導體研究院有限公司共建“寬帶通信濾波器芯片技術聯合研發中心”，通過產業集群的協同優勢，充分發揮企業的技術優勢，形成優勢互補和加強，共同培育和承擔各類重大項目，推動高性能濾波器產業化。

6月25日，國家第三代半導體技術創新中心發展戰略研討會暨第一屆專家委員會會議召開。中國科學院院士、國家第三代半導體技術創新中心主任郝躍，中國科學院院士江風益，中國工程院院士歐陽曉(線上)，中國科學院院士楊德仁（線上），江蘇省科技廳二級巡視員景茂，蘇州工業園區黨工委委員、管委會副主任倪乾等出席會議。會議由中科院蘇州納米所副所長、江蘇第三代半導體研究院院長徐科主持。

今年1月，國家第三代半導體技術創新中心研發與產業化基地在蘇州納米城開工，項目首期占地105畝，總建筑面積超20萬m2，其中漢天下電子研發中心總建筑面積約1.7萬平方米，規劃建設8英寸體聲波濾波器及射頻模組生產廠房，主要包括高頻濾波器研發生產線、射頻模組封裝線、產品性能測試實驗室等，擬作為蘇州漢天下未來的器件工藝研發和生產制造中心。

本次會議，圍繞“十四五”期間國家第三代半導體產業發展趨勢，探討國家第三代半導體技術創新中心支撐產業發展的建設路徑。面向第三代半導體領域國家重大戰略需求和產業發展需要，瞄準通信產業應用需求，圍繞射頻芯片的發展，蘇州漢天下電子有限公司以高性能體聲波濾波器的研發與應用開發為主線，解決設計、工藝等關鍵共性技術問題，聯合江蘇第三代半導體研究院有限公司共建“寬帶通信濾波器芯片技術聯合研發中心”，通過產業集群的協同優勢，充分發揮企業的技術優勢，形成優勢互補和加強，共同培育和承擔各類重大項目，推動高性能濾波器產業化。

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