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發布時間：2022-06-06發布人：

臺積電、ASML...這些半導體廠商動作頻頻

臺積電：或1萬億新臺幣擴產2nm

近期相關報道顯示，臺積電在2nm和3nm工藝的開發上取得了不錯的進展，且臺積電方面將準備研發1.4nm工藝。

2nm工藝方面

2nm工藝方面，據中國臺灣經濟日報報道，臺積電將砸1萬億新臺幣（約2290億元人民幣）在臺中擴大2nm產能布局，有望在中清乙工建設半導體產業鏈園區。目前，臺積電正向相關部門提出設廠用地需求。

此前，臺積電總裁魏哲家在法說會上表示，臺積電2nm預期會是最成熟與最適合技術來支持客戶成長，臺積電目標是在2025年量產。

據悉，臺積電將在2nm的節點推出Nanosheet/ Nanowire的晶體管架構，另外還將采用新的材料，包括High mobility channel、2D、CNT等，其中2D材料方面，臺積電已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐漸用在晶體管上。

3nm工藝方面

3nm工藝上，臺積電今年4月上旬公開表示，該公司在3nm工藝開發上取得突破。其中在今年8月將可能率先投片第二版3nm制程的N3B，2023年第二季度將有可能量產3nm制程的N3E，比預計提前了半年。

據悉，第二版3nm制程N3B，將在新竹12廠研發中心第八期工廠及南科18廠P5廠同步投片，正式以鰭式場效晶體管（FinFET）架構，對決三星的環繞閘極（GAA）制程。據悉，臺積電初步規劃新竹工廠每月產能約1萬至2萬片，臺南工廠產能為1.5萬片。

此外，臺積電打算在6月份將其N3制程節點的團隊做重新分配，以組建1.4nm級制造工藝的研發隊伍。

三星：加快3nm量產速度

近日，三星芯片及代工高層大洗牌，目前三星電子已撤換負責開發下一代芯片的半導體研發中心負責人，新的負責人由副總裁兼Flash開發部門負責人Song Jae-hyuk 擔任。

晶圓代工業務方面，三星指派半導體設備解決方案部門的全球制造與基礎設施副總裁Nam Seok-woo兼任晶圓代工制造技術中心負責人，同時還任命存儲器制造技術中心副總裁Kim Hong-shik帶領晶圓代工技術創新團隊。

2021年底，三星曾全面撤換半導體、手機、消費電子三大事業主管，并將手機及消費電子事業合并，將經營重心轉向半導體。時隔半年，三星又將內存業務大將部署至晶圓代工事業，積極推進晶圓代工事業發展。

三星的代工業務備受壓力。此前，業內傳出三星4nm工藝良率只有35%，使得高通、英偉達、AMD等廠商將部分產品交由臺積電代工。

目前三星正加快3nm量產速度。今年4月末三星宣布將在本季度開始使用3GAE（早期3nm級柵極全能）工藝進行大規模生產。近日，官方消息顯示，預計最快今年6月量產3nm制程。

三星集團5月24日發表聲明表示，計劃在截至2026年的五年內，將支出增加30%以上，達到450萬億韓元（約合3600億美元），以支持從芯片到生物制藥等領域的業務。

ASML：2億美元擴建威爾頓工廠

近日，ASML宣布將斥資2億美元擴建其位于康涅狄格州威爾頓的工廠。據悉，ASML Wilton是ASML在美國最大的研發和制造基地。

隨著英特爾、三星、臺積電等晶圓代工廠大幅擴產，對于設備的需求也水漲船高。據悉，ASML擴產的腳步早已邁開。

在今年Q1財報會議上，ASML表示，隨著第二季度芯片制造設備的市場需求超過供應量，將上調長期營收預期，維持今年20%的營收增幅和55臺極紫外光科技的產能預期不變，并表示，2025年將能生產70多部極紫外光刻機。

3月下旬，ASML在其新加坡工廠的開幕式上宣布，將繼續在該工廠興建第二座制造車間，預計將于2023年初投產。擴建后的工廠將讓該公司在新加坡的產能增加3倍，全球產能倍增。

5月下旬，ASML正在著手研發價值4億美元（約合人民幣26.75億元）的新旗艦光刻機，有望2023年上半年完成原型機，最早2025年投入使用，2026年到2030年主力出貨。

電裝：將自產半導體銷售額增加兩成

豐田汽車集團旗下電裝公司公布新的目標，稱到2025年把本公司生產的半導體銷售額從現在的4200億日元增加兩成至5000億日元（約合人民幣257億元）。公司生產將重視控制電力的“功率半導體”和用于監控電池等的“模擬半導體”領域，今后還將推進面向自動駕駛的傳感器開發。

據報道，為實現半導體的穩定采購，電裝還將深化與專業廠家等的合作。據悉，今年2月，為穩定采購半導體，電裝宣布將向臺積電（TSMC）為進駐熊本縣而設立的子公司出資。

此外，聯電還曾宣布，公司日本子公司USJC將與電裝（DENSO）合作車用功率半導體制造，并將為DENSO建設一條IGBT產線。

其中，DENSO將提供其系統導向的IGBT元件與制程技術，而USJC則提供12英寸晶圓廠制造能力，預計在2023年上半年達成IGBT制程在12英寸晶圓的量產。這項合作已獲

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