外媒:三星將在5月初為NAND閃存生產安裝晶圓廠設備
據外媒TheElec 4月19日報道,三星計劃于5月初在其平澤工廠的新晶圓廠P3上安裝晶圓廠設備。
TheElec引述消息人士稱,三星將首先在5月第一周為NAND閃存生產安裝晶圓廠設備。另外,P3廠區將先建造NAND閃存生產線,然后是DRAM和晶圓代工。
據了解,三星P3廠區是三星平澤廠區的第三座芯片工廠,是一個綜合生產基地,同時運營存儲器和晶圓代工生產線。P3廠區面積為70萬平方米,是P2廠區面積的1.7倍。
報道稱,當P3下個月開始量產時,將占用平澤工廠6塊工廠用地中的3塊。三星預計將在P3之后在平澤建造P4,同時計劃在美國建造另一座20萬億韓元的代工工廠。
從2017年開始,三星在韓國平澤一期工廠一樓進行64層NAND的生產。2018年,三星在其二樓增設了DRAM產線。
同年,三星在韓國平澤市興建一座新的半導體工廠(P2),用于擴大DRAM、NAND Flash快閃存儲器的產能。新工廠P2總投資額約30萬億韓元,就在距離平澤工廠不遠處。
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