動態 | 中電科二所碳化硅芯片研制成功
動態 | 中電科二所碳化硅芯片研制成功
碳化硅芯觀察 2022-02-25 18:22
2月25日下午，中國電子科技集團第二研究所對外宣布：山西省第一片碳化硅芯片研制成功。
2021年9月，中國電科二所承擔山西太原某實驗室6英寸SiC芯片整線系統集成項目，該項目要求四個月內完成整線設備評估、選型、采購、安裝、調試，并流出第一片芯片。
時間緊，任務重！二所憑借自身行業影響力和資源調配能力，在一個月之內完成所需全部設備技術評估與選型，所有商務流程合規操作；設備移入階段正趕上國慶假期又恰逢太原市連日降雨、氣溫驟降，為了不耽誤項目進度，項目團隊放棄休息，在保證人員及設備安全的前提下連夜冒雨作業，每天夜晚卸貨、搬運、拆包，白天安裝就位，連續奮戰，一個月之內完成設備移入。
為按時間節點完成流片任務，項目團隊苦干巧干拼命干，堅定信心高質量打贏項目攻堅戰，各工藝段負責人平均每天工作16個小時，各設備負責人輪流堅守崗位，以踔厲奮發、篤行不怠的精神，為生產保駕護航。最終于水、電、氣等配套條件完成后30日內，完成單機設備調試、碳化硅SBD整線工藝調試并成功產出山西省第一片碳化硅芯片，研制速度創造了國內第一！
碳化硅具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優點，可有效突破傳統硅基材料的物理極限，廣泛應用于新能源汽車及其充電樁、大數據中心、軌道牽引、高壓電網、新能源逆變等領域，成為我國重點發展的戰略性先進半導體，對實現碳達峰碳中和具有重要的戰略意義。
這款碳化硅芯片是落實山西省“十四五”規劃將半導體產業打造成新支柱產業取得的階段性重大成果，是太原市向半導體領域轉型發展道路上的一個里程碑。行百里者半九十，接下來的任務還很艱巨，需進一步優化設計和工藝流程，研制系列化碳化硅SBD芯片和碳化硅MOSFET芯片，提升性能指標、提高良品率，實現規模化生產。
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