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清華大學半導體產業重大科研項目落戶無錫

發布時間:2022-02-08發布人:

清華大學半導體產業重大科研項目落戶無錫

來源:東臺日報    2022-02-08
1月30日,在江蘇富樂華功率半導體研究院,高新區與無錫海古德新技術有限公司成功簽約,清華大學國家863科技成果轉化項目——年產1020萬片半導體功率模塊使用陶板基板項目正式落戶高新區半導體產業園。

1月30日,在江蘇富樂華功率半導體研究院,高新區與無錫海古德新技術有限公司成功簽約,清華大學國家863科技成果轉化項目——年產1020萬片半導體功率模塊使用陶板基板項目正式落戶高新區半導體產業園。

該項目由無錫海古德投資6億元創建江蘇海古德新技術有限公司,占地80畝,廠房面積7萬平方米,新上六條流延線及排膠線,新購燒結爐、研磨機、激光粒度分析儀、氣相色譜儀等進口設備,年產氮化鋁基板720萬片、氮化硅基板300萬片,年可實現開票10億元。

據悉,無錫海古德是一家擁有自主知識產權、高科技專利技術,集新型陶瓷材料及其電子元件研發、生產、銷售為一體的現代化高新技術企業。核心產品高性能氮化鋁陶瓷材料、氮化硅陶瓷基板及其元器件,是國家強基工程關鍵領域的關鍵基礎材料,已通過歐、美、日、韓等多家知名企業技術認證,各項性能指標均已達到國際先進水平,得到眾多客戶信賴與支持。

簽約前,高新區和投資方研究審定了江蘇海古德新技術有限公司年產1020萬片半導體功率模塊使用陶板基板項目的規劃和建筑單體設計方案,并就加快項目實施速度,提升項目推進效率,扎實推動半導體產業集群高質量發展進行了交流、溝通和探討。

簽約活動結束后,無錫海古德新技術有限公司一行參觀了江蘇富樂華功率半導體研究院。富樂華研究院以創建國家級功率半導體科研機構為目標追求,致力于將技術成熟的功率半導體系列項目就地轉化,強力驅動高新區半導體產業不斷延鏈強鏈。

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