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       《科創板日報》（上海，研究員 鄭遠方）訊，昭和電工28日宣布，已與東芝簽訂SiC（碳化硅）外延片供應長約，協議時長為2.5年。值得一提的是，昭和電工是全球最大的SiC外延片供應商。就在本月13日，這家公司也與羅姆簽訂了SiC外延片的多年供應長約。

       據《科創板日報》不完全統計，8月以來，已有多家國際頭部企業聚焦SiC，以簽訂長約、投資擴產、并購等多方式確保產能，產能爭奪戰硝煙已經點燃。

       產能有多重要？眼下全球SiC晶圓年產能約在40-60萬片，遠不能滿足下游需求，供給端成為SiC關鍵制約因素之一。

       供應吃緊的同時，下游應用正在飛速增長。

       首當其沖的就是電動汽車。數據顯示，采用SiC技術后，新能源汽車能量損耗降低5倍左右，電機逆變器效率可提升4%，整車續航里程增加7%。因此，龍頭特斯拉一馬當先，其Model 3車型搭載了以24個SiC-MOSFET為功率模塊的逆變器；比亞迪、蔚來、吉利也緊隨其后開始布局。中泰證券認為，今年汽車領域SiC有望進入放量元年。

       此外，光伏也被看作SiC的潛在應用場景，使用SiC技術可有效增加太陽能轉換效率。去年，光伏在SiC器件占比僅10%，分析師仍舊看好其滲透率提升空間。據國際能源署IEA估計，到2024年，假如僅2%的分布式太陽能光伏系統部署SiC，其額外可產生的發電量將多達 10GW。

       現階段，SiC的滲透瓶頸主要是成本過高。不過據CASA統計，SiC價格近幾年快速下降，2020年較2017年下降了五成以上，與硅器件價差進一步縮小，有望加速普及。英飛凌預計，未來5年，SiC半導體規模將以每年30%-40%的速度增長。

       目前，國內也已涌現眾多布局SiC的廠商，其中：

       三安光電第三代半導體襯底年產能規劃約3.6萬片；露笑科技預計，9月底SiC項目一期可小批量出貨；北方華創、華潤微、聞泰科技、揚杰科技等已相繼入局。

       此外，SiC襯底廠商天岳先進科創板IPO已于9月9日成功過會；同光晶體10萬片SiC項目已于上周投產，公司還計劃一年內科創板上市；天科合達也處于上市申報階段。