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       8月26日，據盛美半導體設備公司（以下簡稱“盛美半導體”）官微消息，盛美半導體發布新產品——Ultra ECP GIII電鍍設備，以支持化合物半導體(SiC,GaN)和砷化鎵(GaAs)晶圓級封裝。

       盛美半導體稱，這是首臺應用于化合物半導體制造中晶圓級封裝和電鍍應用的電鍍設備。

圖片來源：盛美半導體官微

       據官微介紹，該系列設備能將金（Au）鍍到背面深孔工藝中，具有更好的均勻性和臺階覆蓋率。Ultra ECP GIII配備全自動平臺，支持6英寸平邊和V型槽晶圓的批量工藝，同時結合盛美半導體的第二陽極和高速柵板技術，可實現最佳性能。

       盛美半導體的Ultra ECP GIII設備通過兩項技術來實現性能優勢：盛美半導體的第二陽極和高速柵板技術。第二陽極技術可通過有效調整晶圓級電鍍性能，克服電場分布差異造成的問題，以實現卓越的均勻性控制?？蓱糜趦灮A邊緣區域圖形和V型槽區域，實現3%以內的電鍍均勻性。

       據披露，盛美半導體的Ultra ECP GIII已取得來自中國化合物半導體制造商的兩個訂單。第一臺訂單設備采用第二陽極技術的銅-鎳-錫-鍍銀模塊，且集成真空預濕腔體和后道清洗腔體，應用于晶圓級封裝，已于上月交付。第二臺訂單設備適用于鍍金系統，將于今年下一季度交付客戶端。
 
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