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碳化硅行業分析報告：新能源東風已至，碳化硅御風而起

1、碳化硅性能優勢突出

主流半導體采用硅材料，射頻、功率、光通信等特殊應用對半導體材料提出特殊需求。SiC 是制 作高溫高頻、大功率高壓器件的理想材料之一，是由硅元素和碳元素組合而成的一種化合物半導 體材料。

1.1、SiC性能優勢顯著

同半導體材料硅（Si）相比，其禁帶寬度是硅（Si）的 3 倍，擊穿電壓是其 8-10 倍，導熱率是其 3-5 倍，電子飽和漂移速率是其 2-3 倍。

SiC 在耐高壓、耐高頻、耐高溫方面具有獨特優勢。耐高壓方面，SiC 阻抗更低，禁帶寬度更寬， 能承受更大的電流和電壓，帶來更小尺寸的產品設計和更好效率；耐高頻方面，SiC 不存在電流 拖尾現象，能夠提高元件的開關速度，是硅（Si）開關速度的 3-10 倍，從而適用于更高頻率和更 快的開關速度；耐高溫方面，SiC 擁有非常高的導熱率，相較硅（Si）來講，能在更高的溫度下 工作。因此，SiC 能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求，有望成為未來最 被廣泛使用的半導體芯片基礎材料。SiC主要用于功率或射頻器件，適用于600V以上的高壓場景，包括光伏、新能源汽車、充電樁、 風電、軌道交通等等電力電子領域。其中，新能源汽車領域，功率半導體主要應用于電機控制器、 DC/DC 變換器、車載充電機、壓縮機、水泵、油泵，同時還應用于配套充電樁。

1.2、SiC襯底價值量最大，6英寸晶片成為主流

SiC 產業鏈主要包括上游襯底、中游外延、下游器件制造和模塊封裝，產業鏈價值量倒掛，其中 襯底制造技術壁壘最高、價值量最大，是未來 SiC 大規模產業化推進的核心。

襯底：最為核心的環節，價值量最高，約為 46%。根據電阻率的不同，可分為導電型和半絕 緣型襯底，分別用于功率和射頻器件領域。高純硅粉和高純碳粉采用物理氣相傳輸法（PVT） 生長 SiC 晶錠，之后經過滾磨、切割、研磨、拋光、清洗等環節最終形成襯底，其中晶體的 生長為核心工藝，核心難點在于提升良品率。晶片尺寸越大，對應晶體的生長與加工技術難 度越大，長晶技術壁壘高，毛利率可達 50%左右。外延：價值量占比約23%，是指在襯底上面再覆蓋一層薄膜以滿足器件生產條件。其中導電 型 SiC 襯底用于 SiC 外延，生產功率器件，應用于電動汽車和新能源領域；半絕緣型 SiC 襯 底用于氮化鎵外延，生產射頻器件，應用于 5G 通信等領域。

器件制造及模塊封裝：價值量占比約 20%，產品包括 SiC 二極管、SiC MOSFET、全 SiC 模 塊、SiC 混合模塊。應用：依據電阻率區分，導電型 SiC 器件主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、充電樁等領 域；半絕緣 SiC 器件主要用于 5G 通信、數據傳輸、航空航天、國防軍工等領域。

半絕緣型 SiC 襯底市場增長迅速，6 英寸晶片成為發展趨勢。受益于 5G 基建加快布局和全球地 緣政治動蕩，半絕緣型 SiC 襯底市場增長空間巨大。根據 Yole 數據，2020 年全球半絕緣型 SiC 襯底市場規模為 1.8 億美元，較 2019 年同比增長 18%。此外，根據中國寬禁帶功率半導體及應 用產業聯盟數據，2020 年全球 4 英寸半絕緣型 SiC 晶片的市場需求約 4 萬片，6 英寸約 5 萬片， 兩者需求占比不相上下；預計到 2025 年，4 英寸市場需求將減少至 2 萬片，6 英寸成為發展趨勢。

導電型 SiC 襯底市場發展前景良好，6 英寸襯底占據絕大部分市場份額。受下游民用領域的持續 景氣，如新能源汽車與光伏，導電型 SiC 襯底市場規模不斷擴容。根據 Yole 數據，2018 年，全 球導電型 SiC 襯底市場規模為 1.7 億美元，2020 年增長至 2.8 億美元，復合增長率為 26%。根據 中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟數據，全球 6 英寸導電型襯底需求從 2020 年的超 8 萬片增 長至 2025 年的 20 萬片，而 4 英寸產品將逐步退出市場。

SiC 主流大廠正陸續推出 8 英寸晶圓片。當前，全球市場上 6 英寸 SiC 襯底已實現商業化，主流 大廠也陸續開始推出 8 英寸樣品。SiC 晶圓尺寸的擴大不僅可以降低生產成本，而且有利于保持 晶圓幾何形狀，減少邊緣翹曲，提升晶圓生產的良率。2019 年 Cree 完成了首批 8 英寸 SiC 晶圓 樣品的制樣，意法半導體在 2021 年 7 月宣布了制造出首批 8 英寸 SiC 晶圓片。預計 2023 年開 始，各大廠商將逐漸量產 8 英寸襯底，并繼續提高外延和器件方面產能及良品率。隨著 6 英寸襯 底、外延晶片質量提高，8 英寸產線實現規?；a，SiC 器件和模塊逐漸普及為電動汽車主流配 置，規模效應增大，成本可得到有效降低。

1.3、SiC價格呈下降趨勢，滲透率有望隨之提升

目前，SiC 襯底成本高/制作難、長晶速度慢、損失率高導致了器件的高成本，影響了 SiC 器件的 滲透率。根據我國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）數據顯示，SiC 功率器件最主要 的原材料成本——SiC 襯底、外延片的價格近年來持續下降，原因有：第一，伴隨大直徑襯底占比不斷提高，襯底單位面積生長成本下降；第二，單晶的平均可用厚度仍會持續增加，這將不斷 降低單位面積襯底成本；第三，襯底質量和晶片供貨量的提高，以及外延晶片成品率的提高，推 動 SiC 器件成本逐步降低。未來 SiC 各環節成本有望持續下降，并迎來對于下游產業的加速滲透。

2、歐美廠商高度壟斷，國內廠商潛力巨大

Wolfspeed 壟斷 SiC 器件與外延片市場，歐美企業主導 SiC 器件市場。從襯底到器件環節，目前 以 Wolfspeed、ST 及羅姆等海外頭部企業占據產業鏈主要份額。其中，因布局較早，良率與產能 規模全球領先，在 SiC 襯底及外延片市場 Wolfspeed 一家獨大。下游器件領域，歐美日企業領先， 整體市占率達到 95%，意法半導體作為特斯拉 SiC 功率器件的第一梯隊供應商，市場占有率排名 第一，達到 41%。

國際主流廠商大幅擴產，釋放搶占 SiC 市場信號。國際企業大力完善第三代半導體產業布局，計 劃大幅擴產來強化競爭優勢，以搶奪日漸增長的市場份額。安森美表示 22 年要將 SiC 產能擴充 4 倍；意法半導體計劃到 2024 年將 SiC 晶圓產能提高到 2017 年的 10 倍，SiC 營收將達到 10 億美 元。在國際大廠加速擴產的背景下，SiC 產業格局逐漸迎來空前重構和變化。

國內廠商加速布局，發展空間巨大。國內企業也在積極研發和探索 SiC 器件的產業化，已經形成 相對完整的 SiC 產業鏈體系，部分產業節點已有所突破。SiC 襯底方面，天岳先進在半絕緣 SiC 襯底的市場占有率連續三年保持全球前三；天科合達在國內率先成功研制 6 英寸 SiC 襯底，并已 實現 2-6 英寸 SiC 晶片的規?；a和器件銷售。SiC 外延片方面，廈門瀚天天成與東莞天域可 生產 2-6 英寸 SiC 外延片。SiC 器件方面，國內廠商主要有泰科天潤、瀚薪、揚杰科技、中電 55 所、中電 13 所、科能芯、中車時代電氣等。模組領域，目前 SiC 市場斯達半導、河南森源、常州 武進科華、中車時代電氣處于起步階段。中國廠商在圍繞 SiC 襯底生產上正在縮短與國外差距， 未來若能在 6 英寸和 8 英寸的 SiC 晶圓良率和成本上進一步實現突破是競爭的關鍵。

3、新能源革命來臨，SiC器件迎風而起

全球 SiC 器件市場發展迅猛，2025 年有望增長至 26 億美元。受益于 5G 通信、國防軍工、新能 源汽車和新能源光伏等領域的發展，SiC 器件市場規模增速可觀。Yole 數據顯示，2019 年全球 SiC 功率器件市場規模為 5.4 億美元，預計 2025 年將增長至 25.6 億美元，CAGR 約 30%。整體 電動車相關領域（主逆變器+OBC+DC/DC 轉換器）SiC 市場規模有望在 25 年達到 15.5 億美元， 19-25 年 CAGR 為 38%；而電動車充電基礎設施領域 SiC 增長最快，19-25 年 CAGR 為 90%。

3.1、新能源車是SiC器件的核心驅動力

全球新能源汽車終端需求火熱，車用 SiC 晶圓需求攀升。根據 EVTank 數據顯示，全球新能源汽 車 2025 年銷量將達到 1800 萬輛，19-25 年 CAGR 為 42%。隨著新能源車滲透率不斷升高，以及 整車架構朝 800V 高壓方向邁進，SiC 器件在車載逆變器等領域有望迎來規?；l展。據 TrendForce 數據顯示，預估 2025 年全球電動車市場對 6 英寸 SiC 晶圓需求可達 169 萬片，21- 25 年 CAGR 為 94%。

國內新能源車市場規?？焖僭鲩L，SiC 功率器件有望進一步突破。IDC 預計,2022 年中國新能源車 市場規模將達到 523 萬輛，同比增長 47.2%。2025 年新能源車市場規模有望達到約 1,299 萬輛， 2021-2025 年復合增長率約為 38%。根據 DIGITIMES Research 預測，2025 年電動汽車用 SiC 功率半導體將占整車用功率半導體的 37%以上，高于 2021 年的 25%。國內新能源車市場具備領先優勢，隨著滲透率的進一步提升以及汽車電子化程度的持續推進，國內車用 SiC 器件規模有望 快速突破。

多維度優勢賦能車用 SiC 器件。SiC 功率器件在新能源汽車中展現出獨特優勢，其應用場景包括：電機驅動系統逆變器、電源轉換系統（車載 DC／DC）、車載充電系統（OBC）及非車載充電樁 等。從材料來看，SiC 相對于硅材料擁有更高的擊穿場強、更高的熱導率以及更高的電子飽和漂 移速度；從電路損耗來看，在同等條件下，SiC 功率器件能大幅減小電路開關的能量損耗（下降 85%）；從設備空間來看，采用 SiC 功率器件的 DC/DC 轉換器、車載充電機以及電機控制器分別 能加減小設備 20%、40%、64%的系統空間；從電池轉化效率來看，集成了 SiC 器件的模塊能幫 助系統提升 6%的電力轉換效率。

眾多新能源汽車廠商競相布局 SiC 器件。2018 年，特斯拉的 Model 3 首次采用意法半導體和英飛 凌的 SiC 逆變器取代了 Si-IGBT，逆變器效率提升了 5-8%。2020 年，比亞迪將自主研發制造的 SiC MOSFET 功率器件搭載在漢 EV 四驅高性能版上，實現了 200KW 的輸出功率，功率密度提 升一倍。預計到 2023 年，比亞迪將實現 SiC 基車用功率半導體對硅基 IGBT 的全面替代，將整車 性能在現有基礎上再提升 10%。目前，已有多家廠商推出了面向 HEV/EV 等電動汽車充電器的SiC 功率器件。未來隨著 SiC 器件在車載充電器、DC/DC 轉換以及充電樁中滲透率提升，市場空 間有望快速擴大。

新能源車高電壓平臺大勢所趨，SiC 器件彰顯優勢。近年來各車企紛紛通過提升功率來緩解新能 源汽車的續駛焦慮和充電焦慮，而功率的增加一般有兩種路徑，即提高電流或電壓。然而，大電 流可能會導致較大的核心部件熱損耗，因此高電壓電氣平臺成為了首選。高電壓平臺要求電驅動 系統的耐壓性也要隨之提升，而硅基器件無法承載電壓的大幅升高，故 SiC 應用將逐步替代硅基 IGBT 成為關鍵。相比之 IGBT，SiC 體積小、功率密度高、耐高壓和高溫能力強，可助力新能源 車實現更長的續航里程、更短的充電時間和更強的動力性能。

國內外車企紛紛布局 800V 高壓平臺，SiC 大規模車載應用可期。在相同功率下，800V 電壓平臺 較 400V 電壓的電流減半，電池充電熱量降低，且低成本、輕量化、EMC 干擾的降低，以及效率 和續航的提升，讓充電補能體驗大幅增強。2019 年保時捷 Taycan 推出全球首款 800V 高電壓電 氣架構，支持 350kw 大功率快充，15 分鐘內電量可充到 80％。近年來比亞迪、奧迪、吉利、小 鵬等一眾車企也紛紛開始布局800V高電壓平臺，預計各大車企基于800V高壓平臺方案將在2022 年之后陸續上市，SiC 作為 800V 平臺架構的最佳拍檔有望大放異彩。

800V 高壓平臺需要電源產品配套升級，充電樁等迎來發展良機。當動力電池電壓平臺升級到 800V，當前的 OBC、DC/DC 及充電樁等電源產品都需要從 400V 等級提升至符合 800V 電壓平臺 的應用，SiC 器件由于其優異的特性也將開始大規模的應用。以充電樁為例，800V 高壓充電樁在 設計架構上區別于 400V 的重要特點是需要配置 SiC MOSFET，以達到更快的充電速度和更好的 器件耐壓性。22 年 Wolfspeed 宣布參與搭載 SiC 技術的直流快速充電樁項目，總功率可達 350 kW，成本可降低 20-30%。國內車企也開始發力，廣汽埃安于 2021 年 8 月發布 480kW 超級充電 樁，小鵬也宣布 22Q4 起部署 480kW 高壓超充樁，實現充電 5 分鐘續航 200 公里。

3.2、光伏產業快速發展，SiC應用未來可期

全球和國內光伏新增裝機量快速增長，成長天花板被打開。根據 CPIA 預測，樂觀情況下，全球 光伏年新增裝機在 2022 年將首次突破 200GW，達到 225GW 的水平，到 25 年全球年新增裝機將 達到 330GW，20-25 年光伏新增裝機的復合增長率達 20%；2025 年我國新增裝機規模將達到 110GW，相當于 2020 年底的 3.7 倍。

光伏逆變器出貨量高速增長，IGBT 作為逆變器“心臟”作用凸顯。光伏逆變器是光伏系統的核 心部件，可以將太陽能板產生的可變直流電轉換為交流電，并反饋回輸電系統或供離網的電網使 用。根據 IHS Markit，近年來光伏產業的快速發展帶動光伏逆變器市場規?？焖偬嵘?020 年全 球光伏逆變器的市場規模為 136GW，2025 年將有望達到 401GW，20-25 年 CAGR 為 24%。光 伏逆變器成本結構方面，半導體器件和集成電路材料主要為 IGBT 元器件和 IC 半導體，其中以 IGBT 為主的半導體器件在驅動保護、過電流／短路保護、過溫保護、機械故障保護等方面發揮巨 大作用，是逆變器的“心臟”，約占逆變器成本的 12％左右。

SiC 器件可有效提高光伏逆變器性能，有望逐步替代硅基 IGBT 成為逆變器核心。相比于硅基 IGBT，SiC MOS 具有更低的導通損耗、更低的開關損耗、無電流拖尾現象、高開關速度等優點， 并且可以在高溫等惡劣的環境中工作，有利于提高光伏逆變器使用壽命。根據 SiC 芯觀察數據， 采用 SiC 器件可有效提高光伏發電轉換效率，光伏逆變器的轉換效率可從硅基的 96%提升至 SiCMOSFET 的 99%以上，能量損耗降低 50%以上，設備循環壽命提升 50 倍。未來應用于光伏領域 的SiC逐漸成熟，伴隨滲透率的進一步提升，其有望逐漸替代硅基IGBT在光伏逆變器上的應用。

國內光伏逆變器廠商加快布局，為 SiC 國產化提供歷史性機遇。隨著中國光伏裝機量的增長，中 國本土廠商加快技術與產品升級，在全球已占據重要位置。在出貨量排名前十的供應商中有六家 是中國供應商，其中華為以 23%的市占率位居榜首，國內逆變器廠商在全球逆變器市場中占據超 六成市場份額。未來隨著新能源替代傳統燃料進程加速，逆變器向高效率、高功率密度、高可靠 性等方向發展，SiC 器件有望受益于本土供應鏈優勢，迎來發展良機。根據 SiC 芯觀察數據顯示， 2020 年 SiC 光伏逆變器占比為 10%，預計 2035 年占比將達到 75%，未來空間十分廣闊。

3.3、SiC器件在軌道交通領域持續滲透

在大容量、輕量化和節能化要求下，軌道交通領域采用 SiC 大勢所趨。隨著軌道交通硅基功率器 件性能逐漸逼近理論極限，SiC 功率器件成為重點發展方向，以滿足軌道交通系統對高功率密度、 低損耗和高可靠性等要求。與傳統硅基 IGBT 牽引逆變器相比，全 SiC 牽引逆變器能耗能夠降低 10%以上。2014 年日本小田急電鐵新型通勤車輛配備了三菱電機 3300V/1500A 全 SiC 功率模塊逆變器，開關損耗降低 55%，體積和重量減少 65%，電能損耗降低 20%～36%。根據 CASA 預 測，未來 30 年內，軌道交通應用中 90%的硅 IGBT 將被 SiC 器件或混合器件替代。Yole 數據顯 示，鐵路 SiC 市場將從 2019 年的 900 萬美元增長到 2025 年的 1.18 億美元，CAGR 達到 55%。

國內外廠商紛紛布局軌交系統 SiC 器件。2015 年，日本三菱公司推出了高性能平面柵 3.3kV SiC MOSFET 器件及全 SiC 模塊產品，并在全世界首次將全 SiC 模塊應用到軌道交通牽引變流系統 中。近年來隨著新能源產業的蓬勃發展，SiC 加快滲透進入軌交領域。日本 N700S 新干線、西門 子 Velaro 列車等也大面積采用了 SiC 牽引系統，截至 2021 年 6 月，國內也已經有蘇州三號線、 深圳地鐵1號線等6條地鐵線路采用了SiC技術。目前中國的時代電氣、天岳先進，日本的東芝、 三菱、日立，以及歐美的 Wolfspeed、英飛凌，都已在發力軌道交通 SiC 產業鏈。我國高鐵建設 目前已擁有世界領先水平，中國巨大的應用需求是國產 SiC 的“沃土”，國內廠商有望借助龐大 市場確立先發優勢。

4、重點企業分析

4.1、三安光電：LED龍頭，大力發展化合物半導體業務

三安光電主要從事化合物半導體材料與器件的研發、生產及銷售，以氮化鎵、砷化鎵、SiC、磷 化銦、氮化鋁、藍寶石等化合物半導體新材料所涉及的外延片、芯片為核心主業。公司產品應用 廣泛，包括照明、顯示、背光、農業、醫療、微波射頻、激光通訊、功率器件、光通訊、感應傳 感等領域。2018 年公司斥資 333 億元建設福建泉州南安高新技術產業園區，投資 III-V 族化合物 半導體材料、LED 外延、芯片、微波集成電路、光通訊、射頻濾波器、電力電子、SiC 材料及器 件、特種封裝等產業。三安光電已實現在半導體化合物高端領域的全產業鏈布局。

三安光電在 SiC 下游市場已取得多點突破，并已實現對各細分應用市場標桿客戶的穩定供貨。1） SiC 二極管：在 2021 年新開拓送樣客戶超過 500 家，出貨客戶超過 200 家，超過 60 種產品已進 入量產階段。并借助在歐美日韓等國家和地區的技術和銷售布局，與國際標桿客戶實現戰略合作。a）已進入國內前 20 大客戶：已進入 PFC 電源領域（維諦、比特、長城等）和光伏逆變器領域 （陽光電源、古瑞瓦特、固德威、科士達等）等客戶的供應鏈。b）已實穩定供貨：已對車載充 電機領域（威邁斯、比亞迪弗迪動力等）、家電領域（格力、長虹等）、充電樁及 UPS 領域（英 飛源、科華、英威騰、嘉盛等）各細分應用市場標桿客戶穩定供貨。

2)SiC MOSFET 工業級產品：已送樣客戶驗證。3)SiC MOSFET 車規級產品：正配合多家車企做流片設計及測試，與新能源汽 車重點客戶的合作已經取得重大突破。車和家（理想關聯公司）與三安成立合資公司，車和家持 有合資公司 70%股權，三安持有 30%股權。

三安光電正致力于打造 SiC IDM 一體化平臺，湖南項目陸續投產后將持續帶動營收高增長。三安 光電2021年報披露，集成電路新建項目規劃產能主要在三安集成、泉州三安、湖南三安，電力電 子 SiC 配套產能擴充到 3 萬片/月。其中，湖南三安項目包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業鏈，總占地面積約 1,000 畝，總建筑面積超 50 萬平米，項目達產后，配套產能約 36 萬片/年。

4.2、中微公司：正開發SiC專用MOCVD設備

中微公司主要從事高端半導體設備及泛半導體設備的研發、生產和銷售。公司基于在半導體設備 制造產業多年積累的專業技術，涉足半導體集成電路制造、先進封裝、LED 外延片生產、功率器 件、MEMS 制造以及其他微觀工藝的高端設備領域。1）等離子體刻蝕設備：已應用于國際一線 客戶從 65 納米到 14 納米、7 納米和 5 納米及更先進的集成電路加工制造生產線及先進封裝生產 線。2）MOCVD 設備：在行業領先客戶的生產線上大規模投入量產，公司已成為世界排名前列的 氮化鎵基 LED 設備制造商。截至 2022 年 6 月底，公司設備累計付運臺數達 2654 個反應臺，在 客戶 73 條生產線全面量產。

中微公司積極布局SiC材料功率器件外延生長設備和技術研發，牽頭人具有25年以上相關經驗。根據公司公告，公司將總投資 37.56 億元用于中微臨港總部和研發中心項目，其中部分資金用于 公司 7 類新產品的研發項，其中一種就是寬禁帶功率器件外延生長設備，主要包括 SiC 材料功率 器件的外延生長設備和技術的研發。該項目牽頭人具有 25 年以上化合物半導體材料外延工藝開發、 設備研發及營運的經驗。目前項目處于研究階段，已擁有 10 余項專利技術儲備，預計將持續至 2025 年底。

4.3、天岳先進：國內領先的SiC襯底企業

天岳先進主要從事 SiC 襯底的研發、生產和銷售，產品可廣泛應用于微波電子、電力電子等領域。憑借卓越的研發及創新能力，天岳先進已成為全球為數不多的掌握半絕緣型和導電型 SiC 襯底、 產品尺寸較全的 SiC襯底生產商。1）半絕緣型：在發達國家對我國實行技術封鎖和產品禁運的背 景下，公司自主研發出半絕緣型 SiC 襯底產品，實現了我國核心戰略材料的自主可控。2）導電 型：公司已成功掌握導電型 SiC 襯底材料制備的技術和產業化能力。在優先保障半絕緣型 SiC 襯 底材料戰略供應之余，進行導電型 SiC 襯底材料的研發和小批量銷售，目前正在電力電子領域客 戶中進行驗證。

天岳先進半絕緣型產品已實現對國內下游核心客戶的批量供貨，并獲得國外知名半導體公司認可。公司通過持續的技術研究和產品開發，于 2015 年實現了 4 英寸半絕緣型 SiC 襯底的量產能力。2018 年，公司通過下游行業主要的領先客戶 A 的驗證并開始批量供貨。隨后，公司又獲得下游行 業主要客戶 B 的認證，并獲得大批量訂單，國內市場份額進一步提升。根據 yole 報告統計，2021 年公司在半絕緣 SiC 襯底領域，市場占有率連續三年保持全球前三。

天岳先進導電型 SiC 襯底部分送樣已陸續通過客戶驗證，正加快提升導電型襯底產能建設。2022 年 7 月，公司與某客戶簽署重大合同，23 年至 25 年向合同對方銷售 6 英寸導電型 SiC 襯底產品 （用于功率），預計三年合計含稅銷售金額為 13.9 億元。此外，2021 年公司募投資金 25 億元用 于“SiC 半導體材料項目”。該項目主要用于生產 6 英寸導電型 SiC 襯底材料，預計 2022Q3 實現一 期項目投產，于 2026 年達產后，將新增 SiC 襯底材料產能約 30 萬片/年，將用于滿足下游電動汽 車、新能源并網、智能電網、儲能、開關電源等 SiC 電力電子器件應用領域的廣泛需求。未來， 產能的逐步投產將有助于天岳先進市場占有率的進一步提高。

4.4、聞泰科技：安世半導體SiC二極管產品已經出樣

聞泰科技主營業務包括半導體 IDM、光學影像、通訊產品集成三大業務板塊。目前已經形成從半 導體芯片設計、晶圓制造、封裝測試、半導體設備，到光學影像、通訊終端、筆記本電腦、IoT、 服務器、汽車電子產品研發制造于一體的全產業鏈布局。旗下安世半導體是全球知名的半導體 IDM 公司，是原飛利浦半導體標準產品事業部，有 60 多年半導體研發和制造經驗，客戶超過 2.5 萬個，產品種類超過 1.5 萬種，每年新增 800 多種新產品，全部為車規級產品。

安世半導體 SiC 技術研發進展順利，SiC 二極管產品已經出樣。2021 年，聞泰科技半導體業務研 發投入 8.37 億元，進一步加強了在中高壓 MOSFET、化合物半導體 SiC 和 GaN 產品、IGBT 以 及模擬類產品的研發投入。在化合物半導體產品方面，聞泰目前已推出硅基氮化鎵功率器件(GaN FET)，已通過 AECQ 認證測試并實現量產，并協同產業合作伙伴完成了 GaN 在電動車逆變器、 電控、電源等方案的設計工作。SiC 技術研發也進展順利，SiC 二極管產品已經出樣 IGBT 產品方 面，目前產品流片已經完成，正處測試驗證階段。新的模擬 IC 類產品也正處在加速研發推進中。

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