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由SEMI中國、蕪湖市人民政府主辦，蕪湖高新技術產業開發區管委會、蕪湖市發展和改革委員會承辦的“化合物半導體汽車應用發展研討會”于2022年9月6日在蕪湖華邑酒店舉行。

化合物半導體因其在高功率、高頻率等方面特有的優勢，在信息通信、光電應用以及新能源汽車等產業中有著不可替代的地位。碳化硅器件在汽車充電樁、驅動器等領域發揮著巨大潛力。另外，得益于氮化鎵功放效率高、功率密度大等優勢，也逐漸向車載充電器、汽車逆變器、激光雷達延伸。化合物半導體在汽車上的應用比重顯著提升。SEMI全球副總裁、中國區總裁居龍在開幕致辭中說道：“很開心再次來到蕪湖，讓我有一種回家的親切感。”在疫情的不確定影響之下，大家再次齊聚一堂非常有緣分。

芯片是數字經濟的核心，是現代化經濟的基石。從智能手機、汽車到醫療保健、能源、通信和工業智能化的關鍵應用與基礎建設，芯片是不可或缺的部件。這是一個“無芯不能，無處不芯”的時代，未來是科技競爭的時代，半導體產業是戰略高地。經過過去數年的增長，全球半導體銷售額今年將超過6000億美元。目前在有些領域尤其是消費電子，今年或明年成長的腳步將減緩或呈現負增長。但由于各種智能應用創新的驅動，產業將持續成長，預測在2030年實現1萬億美元的銷售額。今后數年，汽車芯片領域是成長最快速的版塊，這個趨勢給化合物半導體包括SiC器件及GaN產品帶來巨大的市場成長空間。

SEMI China 平臺涵蓋了設計制造到封裝測試并連接供應鏈、人才鏈、創新鏈的全球優質資源，配合資本鏈、政策鏈“多鏈協同”，協助推動中國半導體產業發展。

蕪湖市高新區黨工委書記、管委會主任、弋江區委書記陳海俊在歡迎辭中表示本次研討會匯聚了眾多權威專家學者和知名企業代表，既是一次聆聽專家聲音、碰撞思想火花的知識盛宴，也是一次深化溝通交流、促進互利共贏的合作盛會，必將對區微電子及第三代半導體產業向產業化、高端化發展產生更為積極的帶動引領。

先導稀材科技集團有限公司 首席行業專家  蘇小平

會議由先導稀材科技集團有限公司首席行業專家蘇小平先生主持。來自蘇州晶湛、納微半導體、廣東晶科電子、星星充電、芯塔電子、長飛先進、博升光電、EPC的專家參加本次研討會并做報告分享，產業界近110名嘉賓出席了本次會議。

蘇州晶湛半導體有限公司 董事長兼總裁 程凱

蘇州晶湛半導體有限公司董事長兼總裁程凱介紹應用于功率器件的GaN材料進展。程博士提到GaN功率器件的市場機遇和未來展望。他也提到了高質量300mm GaN-on-Si HEMT外延系列產品涵蓋200V, 650V 以及1200V 功率應用，并且擁有低至 0.3%的厚度不均勻性與低于50μm的全片翹曲。

納微半導體 高級總監 孫浩

納微半導體高級總監孫浩向大家闡述氮化鎵器件在電動汽車應用中的未來展望。電動汽車市場的持續爆發為GaN應用帶來了諸多機遇。GaN的快速和低開關損耗可以提高開關頻率，提高產品的功率密度。孫總提到納微半導體未來將專注于大功率應用。

廣東晶科電子股份有限公司 車規LED事業部產品總監  何貴平

廣東晶科電子股份有限公司的車規LED事業部產品總監何貴平介紹了車用智能照明發展趨勢及封裝技術解析。LED光源作為當今最主流的光源形態，如何滿足智能車燈發展趨勢，晶科電子交出了滿意的答卷。在演講中，晶科電子展示了分立式大功率LED光源、集成式高像素LED光源及正在預研的Mini/Mirco LED前燈光源方案并做了深度的技術剖析。針對ISD智能交互尾燈及智能氛圍燈，晶科電子也展示了創新的面光源及Smart RGB LED等。

星星充電 設計質量保證中心總經理 江偉石

星星充電設計質量保證中心總經理江偉石詳細探討了碳化硅在充電樁的應用。江總詳細闡述了影響充電行業的發展的因素、充電樁未來的市場預估、應用發展趨勢，也引申出對于使用功率器件碳化硅可以給充電樁帶來的好處。江總針對11kW/22kW/30kW/50kW/60kW可以使用什么拓撲設計，選擇SiC器件的規格也做了推薦。

安徽芯塔電子科技有限公司 總經理 倪煒江

安徽芯塔電子科技有限公司總經理倪煒江詳細探討了碳化硅功率器件在新能源汽車中的機遇。隨著新能源汽車市場規模不斷擴大，相應的產業生態正快速發展。倪博士詳細闡述了SiC如何在新能源汽車主逆變器、電機驅動系統、DC-DC、車載充電器（OBC）以及非車載充電樁等領域迎來的發展機遇及最大化體現SiC材料優勢的應用方案，同時也展示了芯塔電子功率器件產品，尤其是第二代SiC MOSFET最新研究成果。

安徽長飛先進半導體有限公司  研發總監  鈕應喜

安徽長飛先進半導體有限公司研發總監鈕應喜介紹新能源汽車用碳化硅器件關鍵技術進展。隨著新能源汽車的發展，對功率密度、續航能力、充電速度的要求越來越高，硅基功率芯片基本已逼近其物理極限，如工作溫度、電壓阻斷能力、正向導通壓降、開關速度等。迫切需要碳化硅器件實現替代，提升汽車性能。尤其電壓平臺從400V左右升級到800V，1200V的碳化硅MOSFET器件將成為新能源汽車的最佳選擇。

博升光電科技有限公司 研發副總裁  王嘉星

博升光電科技有限公司研發副總裁王嘉星詳細探討了面向激光雷達應用的高功率VCSEL陣列。王嘉星博士介紹了VCSEL在車載上的應用尤其在車載激光雷達方向的應用。高功率多節VCSEL陣列在可量產性，成本方面極具優勢是下一代全固態激光雷達的理想光源。王博士介紹了博升光電在多節VCSEL方面的進展, 博升6節905/940nm高功率VCSEL可達到最高4000W/mm2的光功率密度，同時保持小于24度的發散角。