中電科二所激光剝離設備實現大尺寸工藝迭代
中電科二所激光剝離設備實現大尺寸工藝迭代
“十四五”時期是我國開啟全面建設社會主義現代化國家新征程的第一個五年，是國家半導體產業發生革命性轉變的關鍵時期。中國電子科技集團公司第二研究所肩負“大國重器”、“人工智能、半導體核心裝備自主可控”的歷史使命，積極響應習近平總書記號召，圍繞產業鏈部署創新鏈，圍繞創新鏈布局產業鏈，以科技創新引領產業發展，以大國重器鑄造國芯基石。
激光剝離設備有機結合激光精密加工和晶體可控剝離，實現半導體晶體高可靠切片工藝，可將晶體切割損耗降低60%以上，加工時間減少50%以上，并實現晶體加工整線的高度自動化。激光剝離可用于碳化硅、氮化鎵、金剛石等硬脆半導體材料加工，實現襯底成本的大幅降低，亦可擴展至電力電子與微波射頻芯片制造、異質材料復合襯底制造、集成電路先進封裝等領域，實現晶圓減薄、解鍵合等先進工藝，支撐國防軍工、下一代移動通信、新能源汽車、高速列車、能源互聯網等產業的創新發展及國家安全、新基建、雙碳經濟等國家重大戰略的實施，被譽為半導體材料制備領域的“光刻機”。
激光剝離項目是中國電子科技集團公司第二研究所針對第三代半導體產業發展痛點與難點遴選的首批“揭榜掛帥”項目之一，國內多家科研團隊踴躍組團揭榜，項目揭榜立項后，團隊緊鑼密鼓開展技術攻關，從工藝摸索到設備研制，成員夜以繼日奮戰在科研一線，放開手腳發揮創新潛能。功夫不負有心人，目前，團隊已掌握激光剝離技術原理與工藝基礎，基于工藝與裝備的協同研發，實現了4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離，取得突破性進展。下一階段，激光剝離項目將以“大尺寸化、快速生產化、高良率化、全自動化、低能耗化”為目標，迅速開展由碳化硅晶錠至合格襯底片的自動化設備貫線，真正解決國家第三代半導體關鍵技術問題，為國家發展貢獻力量。
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