博世宣布在2026年前投資30億歐元用于芯片擴產
博世宣布在2026年前投資30億歐元用于芯片擴產
7月13日，博世科技日在德國德累斯頓圓晶廠舉行，博世展示了集團目前所掌握的半導體生產技術以及未來生產計劃。
博世公司宣布，將在2026年前投資30億歐元用于芯片生產，作為歐洲共同利益重要計劃中微電子和通訊技術領域專案的一部分。
博世在聲明中表示，公司將投入1.7億歐元用于在德國建立新的開發中心，投入2.5億歐元用于擴大其在德累斯頓的晶圓廠。博世還將探索使用氮化鎵制造芯片，與傳統的硅基功率芯片相比，氮化鎵芯片的功率損耗可以減少4倍。
同時，針對消費品行業，博世也在不斷優化改良自身的微機電系統（MEMS）。博世集團執行長Stefan Hartung博士表示，微電子即未來。Hartung表示，為鞏固博世在MEMS科技領域的領導地位，我們將以12英寸晶圓制造MEMS感測器，預計將于2026年投產，新的晶圓廠也將賦予我們大規模量產機會，博世必定會善加利用此優勢。
此外，博世的另一個重點是生產新型半導體。據介紹，博世自2021年底起就在羅伊特林根工廠大規模量產碳化硅（SiC）芯片，以應用于電動和混動汽車的電力電子裝置中。為了讓電力電子器件價格更低、效率更高，博世正在探索使用其他類型的芯片，例如博世正在開發可應用于電動汽車的氮化鎵芯片。不過，博世集團表示，在應用于汽車前，氮化鎵芯片必須變得更為堅固，并能夠承受1200伏的高電壓。
據路透社報道，博世首席執行官哈爾騰表示：“2022年，有很多事情會有所緩解，但2023年仍會存在瓶頸。如果需求因可能的經濟衰退而下降，個別行業可能需要更少的芯片......但你不能以此來制定戰略。”
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