剛剛！3納米官宣！
發布時間：2022-07-11發布人：
剛剛！3納米官宣！
三星電子首次實現GAA“多橋-通道場效應晶體管”（簡稱: MBCFET Multi-Bridge-Channel FET）應用打破了FinFET技術的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還通過增加驅動電流增強芯片性能。
三星首先將納米片晶體管應用于高性能、低功耗計算領域的半導體芯片，并計劃將其擴大至移動處理器領域。
一直以來，三星電子不斷將新一代工藝技術應用于生產制造中。例如：三星的第一個High-K Metal Gate (HKMG) 工藝、FinFET 以及 EUV等。三星希望通過率先采用3nm工藝的‘多橋-通道場效應晶體管’（ MBCFET），將繼續保持半導體行業前沿地位。同時，三星將繼續在競爭性技術開發方面積極創新，并建立有助于加速實現技術成熟的流程。
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