三星宣布3納米GAA架構制程技術芯片開始生產
發布時間：2022-07-01發布人：
三星宣布3納米GAA架構制程技術芯片開始生產
三星電子今日宣布，基于3納米（nm）全環繞柵極（Gate-All-AroundT，簡稱 GAA）制程工藝節點的芯片已經開始初步生產。該公司已經開始在其位于韓國的華城工廠大規模生產 3 納米半導體芯片，是全球首家量產 3 納米芯片的公司。
品玩6月30日訊，三星電子今日宣布，基于3納米（nm）全環繞柵極（Gate-All-AroundT，簡稱 GAA）制程工藝節點的芯片已經開始初步生產。該公司已經開始在其位于韓國的華城工廠大規模生產 3 納米半導體芯片，是全球首家量產 3 納米芯片的公司。
3nm GAA技術采用了更寬通的納米片，與采用窄通道納米線的GAA技術相比能提供更高的性能和能耗比。
與三星5nm工藝相比，第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少35%。
聲明：本文版權歸原作者所有，轉發僅為更大范圍傳播，若有異議請聯系我們修改或刪除：zhangkai@cgbtek.com
COPYRIGHT北京華林嘉業科技有限公司 版權所有 京ICP備09080401號
