延續摩爾定律，新型半導體研發實現新突破
延續摩爾定律，新型半導體研發實現新突破
據媒體報道，日前，一支由南洋理工大學、北京大學、清華大學和北京量子信息科學研究院的研究人員最近展示了利用范德華力成功地將單晶滴定鍶一種高K鈣鈦礦氧化物）與二維半導體集成，這種方法可以為開發新型晶體管和電子元件開辟新的可能性。
據悉，晶滴定鍶是一種鈣鈦礦氧化物，此前已發現將鈣鈦礦氧化物與具有不同原子結構的材料結合起來幾乎是不可能的。但該團隊采用的智能方法成功繞過這一限制，可以實現幾乎無限的材料組合。
研究人員表示，他們創造的晶體管可用于制造高性能和低功耗互補金屬氧化物半導體逆變器電路。未來，他們的設備可以大規模制造，用于開發低功耗的邏輯電路和微芯片。
值得一提的是，除了國內多所高校參與的2D半導體項目實現了新的突破之外，韓國在該領域的發展也迎來了新的進展。
近日，韓國科學技術研究院（KIST）宣布，由光電材料與器件中心的Do Kyung Hwang博士和物理系的Kimoon Lee教授領導的聯合研究小組通過開發新型超薄電極材料（Cl-SnSe2），成功實現了基于二維半導體的電子和邏輯器件，其電氣性能可以自由控制。
這項研究攻克了費米能級釘扎（Fermi-level pinning）現象下，傳統二維半導體器件很難實現互補邏輯電路的難題（僅表現N型或P型器件的特性）。利用這種新的電極材料，單個器件可以同時實現N型和P型器件的功能，從而形成一種高性能、低功耗、互補邏輯的邏輯電路。
Do Kyung Hwang博士預計，這種新型的二維電極材料非常薄，具有高透光率和柔韌性，因此，它們可應用于下一代柔性透明半導體器件中。而這一發展將有助于加速人工智能系統等下一代系統技術的商業化。
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