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臺(tái)積電首度揭曉2納米制程技術(shù) 預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)

臺(tái)積電17日舉辦2022年北美技術(shù)論壇，首度揭曉2納米制程技術(shù)，和3納米相比，在相同功耗下，2納米的速度增快 10~15%，或在相同速度下，功耗降低 25~30%。

據(jù)臺(tái)媒《中央社》報(bào)道，臺(tái)積電揭示了支持N3 及 N3E 的 TSMC FINFLEX技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)平臺(tái)，除了涵蓋臺(tái)積電即將于今年下半年量產(chǎn)的3納米（N3）技術(shù)，并將搭配創(chuàng)新的 TSMC FINFLEX架構(gòu)。

據(jù)悉，TSMC FINFLEX技術(shù)，是在開(kāi)發(fā)3納米時(shí)，同時(shí)讓2納米（N2）獲得重大突破。這項(xiàng)技術(shù)提供多樣化的標(biāo)準(zhǔn)元件選擇:3-2鰭結(jié)構(gòu)支持超高性能、2-1 鰭結(jié)構(gòu)支持最佳功耗效率與電晶體密度、2-2鰭結(jié)構(gòu)則是支持平衡兩者的高效性能。

臺(tái)積電指出，通過(guò)各功能區(qū)塊最優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，向全球揭示N2技術(shù)正式可提供代工服務(wù)，和3納米相比，功效大幅往前推進(jìn)。在相同功耗下，2納米的速度增快 10~15%，或在相同速度下，功耗降低 25~30%。

臺(tái)積電并強(qiáng)調(diào)2納米采用納米片電晶體架構(gòu)，使其效能及功耗效率提升一個(gè)世代，協(xié)助臺(tái)積客戶實(shí)現(xiàn)下一代產(chǎn)品的創(chuàng)新。除移動(dòng)計(jì)算的基本版本，2納米技術(shù)平臺(tái)也涵蓋高效能版本及完備的小芯片（chiplet）整合解決方案，并預(yù)定2025年開(kāi)始量產(chǎn)。

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