一大批半導(dǎo)體項目迎來新進展
一大批半導(dǎo)體項目迎來新進展
近日，國內(nèi)多個集成電路產(chǎn)業(yè)項目迎來新的進展，簽約、開工、量產(chǎn)等消息不斷，這些項目涉及第三代半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體封裝、MEMS器件等領(lǐng)域。
強茂電子半導(dǎo)體封裝項目簽約徐州
4月25日，在徐州經(jīng)開區(qū)舉行重大產(chǎn)業(yè)項目集中“云簽約”活動上，鑫華半導(dǎo)體年產(chǎn)5000噸大尺寸集成電路用高純硅料及年產(chǎn)1500噸電子特氣以及強茂電子半導(dǎo)體封裝項目簽約。
根據(jù)此前的資料顯示，強茂電子半導(dǎo)體封裝項目總投資9.5億元，新建18條高效能封裝線，將為打造半導(dǎo)體先進封測基地提供有力的支撐。
該項目新建、改造潔凈廠房、研發(fā)樓及附屬設(shè)施15萬平方米，一期利用4.5萬平方米原有廠房進行無塵化改造增建，購置半導(dǎo)體組件封裝設(shè)備，建造9條高效能半導(dǎo)體封裝線；二期新建生產(chǎn)車間及研發(fā)設(shè)施，建造9條高效能半導(dǎo)體封裝線，年產(chǎn)集成電路封裝、測試系列產(chǎn)品240億顆。
六英寸硅基器件專業(yè)代工項目簽約南京
據(jù)浦口發(fā)布消息，4月21日，南京舉行2022年重大招商項目暨央企區(qū)域總部項目視頻簽約活動，浦口區(qū)4個項目在分會場同步簽約。
消息顯示，浦口區(qū)的4個簽約項目總投資額38.9億元，涵蓋半導(dǎo)體、人工智能、交通裝備等領(lǐng)域，包括六英寸硅基器件專業(yè)代工項目、微思自動駕駛研發(fā)測試及交付中心項目等。
其中，六英寸硅基器件專業(yè)代工項目，一期占地面積約為10000平方米。第一條產(chǎn)線正式投產(chǎn)后，年產(chǎn)值不低于2億元；開通第二條產(chǎn)線并投入正式運營，總年產(chǎn)值不低于8億元。
廣東光大科研制造中心項目動工
4月22日，東莞在寮步橫坑萬榮工業(yè)智造中心項目現(xiàn)場舉行二季度重大項目集中開工活動，包括廣東光大科研制造中心項目等。
據(jù)“東莞日報”介紹，廣東光大科研制造中心項目位于東莞市東部智能制造和東莞新材料產(chǎn)業(yè)基地，項目一期投資100億元，用地面積約390畝，預(yù)計于2025年建成投產(chǎn)，全面達產(chǎn)后銷售收入約149.4億元。
項目預(yù)期可牽引帶動形成第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，助力我市“十四五”期間建成華南地區(qū)第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用創(chuàng)新重要基地。
捷捷微電6英寸晶圓及器件封測項目已開工
4月25日，捷捷微電在投資者互動平臺上表示，“功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線”項目已經(jīng)開工，計劃明年建設(shè)完成，達產(chǎn)后預(yù)計可形成6英寸晶圓100萬片/年及100億只/年功率半導(dǎo)體封測器件的產(chǎn)業(yè)化能力。
據(jù)悉，“功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線”項目總投資5.1億元人民幣，由捷捷微電全資子公司捷捷半導(dǎo)體有限公司承建，計劃采用深Trench刻蝕及填充工藝、高壓等平面終端工藝，繼續(xù)服務(wù)于公司晶閘管及二極管等業(yè)務(wù)。
芯聚能碳化硅主驅(qū)模塊正式量產(chǎn)
4月26日，廣東芯聚能宣布公司碳化硅模塊和使用芯聚能碳化硅模塊的控制器均已進入量產(chǎn)狀態(tài)（SOP）。
廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司成立于2018年11月，位于廣州市南沙區(qū)，占地40,000平方米，主營業(yè)務(wù)為碳化硅基和硅基功率半導(dǎo)體器件及模塊的研發(fā)、設(shè)計、封裝、測試及銷售。主要產(chǎn)品包括車規(guī)級功率模塊、工業(yè)級功率模塊和分立器件等，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于新能源汽車領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域。
據(jù)金羊網(wǎng)此前報道，芯聚能項目總投資達25億元。項目第一階段將建設(shè)用于新能源汽車的IGBT和SiC功率器件與模塊生產(chǎn)基地，同時實現(xiàn)工業(yè)級功率器件規(guī)模化生產(chǎn)。第二階段將面向新能源汽車和自動駕駛的汽車功率模塊、半導(dǎo)體器件和系統(tǒng)產(chǎn)品，延伸并形成從芯片到封裝、模塊的產(chǎn)業(yè)鏈聚集。
中車時代功率半導(dǎo)體項目二期投產(chǎn)
據(jù)湖南日報近日報道，中車時代功率半導(dǎo)體核心元器件項目二期已經(jīng)投產(chǎn)，正在對三期工程進行前期論證和項目立項評估，計劃下半年開工。
據(jù)悉，株洲中車時代半導(dǎo)體對碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力進行提升，項目建成達產(chǎn)后，可加速推動國產(chǎn)替代，已被列入2022年湖南省重點建設(shè)項目。
今年4月12日，時代電氣發(fā)布公告稱，控股子公司中車時代半導(dǎo)體擬投資4.62億元進行碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項目，項目建設(shè)工期24個月。
項目建成達產(chǎn)后，將現(xiàn)有平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)能力，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線提升到6英寸，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線25000片/年。
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