國產新秀6英寸SiC襯底項目即將投產！
國產新秀6英寸SiC襯底項目即將投產！
據太原日報報道，山西天成半導體材料有限公司（以下簡稱：天成半導體）的6英寸SiC襯底項目即將投產，預計今年內實現6英寸SiC襯底的產業化。
后起之秀，SiC襯底技術能力不容小覷
天成半導體成立于2021年8月，主要從事SiC襯底的研發生產及相關生長設備的制造。成立后短短半年的時間里，天成半導體就攻克了技術難關，實現SiC襯底從4英寸到6英寸的升級，并即將實現6英寸SiC襯底的產業化。
業界皆知，目前國內能夠量產6英寸SiC襯底的企業仍屈指可數，從這個角度來看，天成半導體是妥妥的后起之秀，實力已不容小覷。
據悉，經山西省政府2021年11月審批，天成半導體SiC項目一期共投資3000萬元。天成半導體僅用了半年時間就完成了場地建設、設備進廠及6英寸SiC晶錠的中試投產。
目前，天成半導體正在籌備建設二期項目，包括廠房擴建、設備擴充以及構建一條全自動線切割打磨拋光清洗加工線。項目完成后，6英寸導電型和半絕緣型SiC襯底的年產量將達到20000片，預計在2022年內實現6英寸SiC襯底產業化。
Source：拍信網
新勢力崛起，國產SiC發展啟動“快進”模式
放眼全球市場，4英寸SiC襯底已開始退居“二線”，并將于未來3至5年漸漸退出市場，逐步取而代之的是6英寸SiC襯底。目前，Wolfspeed、II-VI、羅姆等海外巨頭已普遍實現6英寸SiC襯底的批量生產及銷售
根據TrendForce集邦咨詢分析，現階段用于功率器件的N型SiC襯底仍以6英寸為主，盡管Wolfspeed等國際IDM廠商8英寸SiC襯底的推進速度及效果超乎預期，但6英寸襯底轉向8英寸襯底非短時間內能夠實現，因此預計6英寸SiC襯底在未來5-6年內都將是市場的主流。
終端需求方面，作為SiC材料現階段最大的驅動力，電動汽車市場（以主逆變器為主）未來對SiC產品的需求將逐年增長。TrendForce集邦咨詢預估，隨著電動汽車滲透率的不斷提升，以及整車架構逐漸朝向800V等更高壓的方向發展，2025年電動汽車市場對6英寸SiC晶圓的需求量將達169萬片。
需求日益強勁而供給卻稍顯吃力，在此背景下，全球市場除了漸趨白熱化的技術之爭以外，更掀起了擴產潮。國際玩家基于已確立的市場地位，穩步擴充產能，積極“圈地”。而國內玩家雖是后來者，但經過近幾年的奮起直追，已然成為該賽道上的一股新勢力，代表廠商如天岳先進、天科合達、爍科晶體、同光股份等正在加速突破技術攻關、擴大生產規模。
國內領頭羊天岳先進的半絕緣SiC襯底技術位居國內第一，世界第三。目前，其在上海臨港的SiC襯底項目現已封頂，全部達產后將新增6英寸導電型SiC襯底產能約30萬片/年，預計今年第三季度實現首批量產。產品方面，天岳先進的6英寸SiC導電型襯底已送樣國內外多家知名客戶，未來產銷量將持續增加。
天科合達作為國內首批成功研制6英寸SiC襯底并掌握相關技術的企業之一，也在積極推進該技術的產業化。該公司近10億元的第三代半導體SiC襯底產業化基地建設項目擬建設一條400臺/套SiC單晶生長爐及配套切、磨、拋加工設備的SiC襯底生產線，建設完成后將形成12萬片6英寸SiC襯底的年產能。
同光股份背靠中科院半導體所，也已在6英寸N型SiC襯底上取得關鍵工程化技術突破，達到車規級功率半導體芯片的應用標準。該公司在河北投資10億元建設的第三代半導體項目也已于去年9月正式投產，預計2022年4月實現滿產運行，屆時可實現年產10萬片直徑4-6英寸SiC單晶襯底。未來，同光股份還規劃建設2000臺SiC晶體生長爐生長基地和加工基地，預計SiC單晶襯底年產能將可達60萬片。
爍科晶體是電科材料的下屬公司，掌握著SiC導電型及半絕緣型襯底關鍵技術和工藝，其4英寸高純半絕緣SiC襯底已實現產業化，月產能可達8000片，且在國內市場占有率超過50%，而6英寸高純半絕緣SiC襯底也已實現小批量供應。
從主要廠商在技術、產品、產能上的進展可以發現，國產6英寸SiC襯底產業的發展已啟動了“快進”模式。除了上述廠商，相信未來將會出現更多像天成半導體一樣的“黑馬”出現，共同推動SiC襯底關鍵技術的國產化替代，并逐步提升在全球市場的影響力。
結語
國內SiC襯底企業前景可期毋庸置疑，但同樣不可否認的是，國內廠商與國際廠商之間仍存在技術和規模之差，例如襯底的良率問題。良率問題直接與成本掛鉤，最終影響產品的規模化應用進程，而目前國產SiC襯底整體良率水平尚未達到理想的水平，國產化替代任重道遠。但無論如何，憑借著持之以恒的決心及腳踏實地的拼搏，國內企業“彎道超車”的機會仍值得期待。
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