摘要碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、電子飽和漂移速度高、擊穿場強高、熱導率高、化學穩定性好等優異特 性，是制備高性能功率器件等半導體器件的理想材料。得益于工藝簡單、操作便捷、設備要求低等優點，濕法...
下一代功率器件關鍵技術：碳化硅近年來，隨著 5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長，硅基半導 體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時限制體積、發熱和成本的快速 膨脹成為了半導...
GaN 是一種優異的直接帶隙半導體材料，室溫下禁帶寬度為3.4 eV，具有優良的光電性能、熱穩定性及化學穩定性，是制作高亮度藍綠發光二極管( LED) 、激光二極管( LD) 以及大功率、高溫、高速和惡劣環境條件下工作的...
超純水設備采用國際主流先進可靠產品，采用PLC+觸摸屏控制全套系統自動化程度高，大大節省人力成本和維護成本，水利用率高，經濟合理，是水處理行業首選的產品。 01 ...
華林嘉業科技有限公司誠摯地邀請您參加2023第十三屆中國國際納米技術產業博覽會。會議于2023年3月1-3日在蘇州國際博覽中心A1&B1&C1館隆重舉辦，我司展位位于C1館762號。 同期更有第四屆中國...
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