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意法半導體首批8英寸碳化硅晶圓問世，SiC熱度高漲！

來源：化合物半導體市場

    7月27日，意法半導體（簡稱ST）官微宣布，ST瑞典北雪平工廠制造出首批8英寸SiC晶圓片，這些晶圓將用于生產下一代電力電子芯片的產品原型。

                                                                                                          圖片來源：ST官微

    意法半導體的首批8英寸SiC晶圓片性能良好，缺陷率較低，主要源于其收購的Norstel公司在SiC硅錠生長技術開發方面的深厚積累。除了晶圓片滿足嚴格的質量標準外，SiC晶圓升級到8英寸還需要對制造設備和整體支持生態系統進行升級更換，因此意法正在與供應鏈上下游技術廠商合作開發自己的制造設備和生產工藝。

    目前意法半導體的SiC量產產品STPOWER SiC在卡塔尼亞（意大利）和宏茂橋（新加坡）兩家6英寸晶圓廠完成前工序制造，后工序制造是在深圳（中國）和布斯庫拉（摩洛哥）的兩家封測廠進行的。

    SiC功率器件的整體性能指標遠超硅基，目前影響其大規模應用的核心障礙還是價格太高。短期來看，4/6英寸晶圓能夠帶來的成本優化速度有限，迅速切入8英寸則是實現成本降低的最佳方案。

    另一方面，目前核心SiC器件玩家仍然是意法、安森美、英飛凌、CREE等大型IDM企業和博世這樣傳統的汽車產業鏈企業，材料、器件設計、器件制造的市場集成度中短期內非常高。因此，主流大廠對8英寸產品的迅速導入，能大力推動整個SiC產業發展。

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