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華為出手第三代半導(dǎo)體材料 性能實現(xiàn)千倍提升

CM_POSTTIME:2019-08-27NE_A:

華為出手第三代半導(dǎo)體材料 性能實現(xiàn)千倍提升

出自:中國證券網(wǎng)

華為出資7億元全資控股,剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手,投資了山東天岳先進材料科技有限公司,持股達10%。山東天岳是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。


華創(chuàng)證券認為,我國及全球5G網(wǎng)絡(luò)正在大規(guī)模建設(shè)中。大數(shù)據(jù)傳輸、云計算、AI技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng),包括下一步的能源傳輸,對網(wǎng)絡(luò)傳輸速度及容量提出了越來越高的要求,大功率芯片的市場需求非常大。而硅材料的負載量已到達極限,以硅作為基片的半導(dǎo)體器件性能和能力極限已無可突破的空間。


而碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的理想襯底材料,綜合性能較硅材料可提升上千倍,被譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”,是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動機”。碳化硅材料實現(xiàn)量產(chǎn)后,將打破國外壟斷,推動國內(nèi)5G芯片技術(shù)和生產(chǎn)能力的提升。 


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